| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 常见的几种单光子探测器件 | 第7-14页 |
| 1.2.1 光电倍增管（PMT） | 第8-9页 |
| 1.2.2 雪崩光电二级管（APD） | 第9-11页 |
| 1.2.3 超导体单光子探测器（SSPD） | 第11-12页 |
| 1.2.4 超导体转换边缘传感器（TES） | 第12-13页 |
| 1.2.5 小结 | 第13-14页 |
| 1.3 论文的主要内容与意义 | 第14-15页 |
| 第二章 InGaAs/InP雪崩光电二极管的工作原理与工作模式 | 第15-23页 |
| 2.1 InGaAs/InP-APD的基本工作原理 | 第15-17页 |
| 2.2 盖革模式下的单光子探测 | 第17-18页 |
| 2.3 InGaAs/InP APD用于单光子探测的工作模式 | 第18-22页 |
| 2.3.1 无源抑制 | 第19-20页 |
| 2.3.2 有源抑制 | 第20-21页 |
| 2.3.3 门模模式抑制 | 第21-22页 |
| 2.4 小结 | 第22-23页 |
| 第三章 基于InGaAS/InP APD的单光子探测器的电路设计 | 第23-31页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 偏置电路分析与参数设计 | 第23-27页 |
| 3.3 信号提取与放大电路的设计 | 第27-29页 |
| 3.4 小结 | 第29-31页 |
| 第四章 实验装置及数据分析 | 第31-44页 |
| 4.1 实验装置 | 第31-33页 |
| 4.2 光源的设置与 APD 响应度的测量 | 第33页 |
| 4.3 单光子探测器的性能测量 | 第33-42页 |
| 4.3.1 APD 的雪崩电压测量与输出波形 | 第33-37页 |
| 4.3.2 量子效率与暗计数的测量 | 第37-39页 |
| 4.3.3 单光子探测器性能的标定与比较 | 第39-41页 |
| 4.3.4 后脉冲效应 | 第41-42页 |
| 4.4 单光子探测器的改进方案 | 第42-43页 |
| 4.5 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 文章内容与工作总结 | 第44页 |
| 5.2 未来工作的展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
