| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 综述 | 第9-19页 |
| 1.1 古斯汉欣（Goos-H(a|¨)nchen）位移 | 第9-12页 |
| 1.2 研究GH 位移的方法 | 第12-14页 |
| 1.3 基于GH 位移的光学滤波器 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的内容及架构 | 第15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 双面金属包覆波导 | 第19-39页 |
| 2.1 介质平板波导 | 第19-25页 |
| 2.1.1 平板波导的光线模型 | 第19-22页 |
| 2.1.2 平板波导的电磁理论 | 第22-25页 |
| 2.2 双面金属包覆波导 | 第25-37页 |
| 2.2.1 色散性质 | 第26-28页 |
| 2.2.2 TM_0 和TM_1模是两个特殊的模式 | 第28-32页 |
| 2.2.3 亚毫米尺度波导中的超高阶导模 | 第32-34页 |
| 2.2.4 金属波导超高阶导模的典型应用 | 第34-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 波导耦合技术以及GH 位移增强效应 | 第39-53页 |
| 3.1 耦合技术 | 第39-45页 |
| 3.1.1 棱镜耦合 | 第39-41页 |
| 3.1.2 光栅耦合 | 第41-42页 |
| 3.1.3 端面耦合 | 第42-43页 |
| 3.1.4 劈形耦合 | 第43页 |
| 3.1.5 自由空间耦合技术 | 第43-45页 |
| 3.2 GH 位移增强效应 | 第45-50页 |
| 3.2.1 布儒斯特角处的GH 位移 | 第45-47页 |
| 3.2.2 弱吸收介质平板上的GH 位移 | 第47-48页 |
| 3.2.3 覆盖薄膜全反射结构上的GH 位移 | 第48-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 基于双面金属包覆波导超高阶导模的GH 位移增强效应 | 第53-72页 |
| 4.1 有吸收时导波共振引起的GH 位移 | 第53-63页 |
| 4.1.1 stationary phase 方法推导出的近似公式 | 第53-56页 |
| 4.1.2 四层结构中的内在损耗和辐射损耗公式的推导 | 第56-59页 |
| 4.1.3 表面等离子波激发时的内在损耗和辐射损耗 | 第59-60页 |
| 4.1.4 内在损耗和辐射损耗在反射率中的体现和应用 | 第60-63页 |
| 4.2 双面金属包覆波导中的GH 位移 | 第63-69页 |
| 4.2.1 穿透深度 | 第63-65页 |
| 4.2.2 理论模拟 | 第65-67页 |
| 4.2.3 实验安排 | 第67-68页 |
| 4.2.4 实验过程及结果 | 第68-69页 |
| 4.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第五章 基于双面包覆波导的光学滤波器 | 第72-83页 |
| 5.1 光学滤波器在光通信中的应用 | 第72-76页 |
| 5.1.1 光学滤波器简介 | 第72-73页 |
| 5.1.2 光学滤波器在光通信中的应用 | 第73-76页 |
| 5.2 基于双面包覆波导的光学滤波器 | 第76-80页 |
| 5.2.1 理论基础 | 第77-78页 |
| 5.2.2 实验实现 | 第78-80页 |
| 5.3 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第六章 总结和展望 | 第83-85页 |
| 6.1 本论文的主要工作 | 第83-84页 |
| 6.2 今后工作的展望 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第86-88页 |
