| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 液晶光折变光栅特性研究的进展 | 第10-15页 |
| 1.3 液晶聚合物光折变光栅特性研究的进展 | 第15-18页 |
| 1.4 本文的动机与目的 | 第18页 |
| 1.5 本论文的研究内容与结构 | 第18-20页 |
| 第2章 液晶及液晶聚合物中光折变的基本理论 | 第20-27页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 光折变效应的基本理论 | 第20-24页 |
| 2.2.1 Carr-Helfrich效应简介 | 第22-23页 |
| 2.2.2 取向增强效应简介 | 第23-24页 |
| 2.3 光折变材料实验方法及参数的表征 | 第24-26页 |
| 2.3.1 二波耦合实验原理及性能参数的表征 | 第24-25页 |
| 2.3.2 简并四波混频实验原理及性能参数的表征 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 基于ZnSe的液晶快速响应光折变效应的研究 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 液晶样品的组成与结构设计 | 第27-29页 |
| 3.3 ZnSe基片的液晶在未加电场情况下的二波耦合特性研究 | 第29-31页 |
| 3.4 ZnSe基片的液晶的光扇效应研究 | 第31-33页 |
| 3.5 ZnSe基片的液晶在加载电场情况下的二波耦合特性研究 | 第33-35页 |
| 3.6 ZnSe基片的液晶在加载电压情况下的四波混频特性研究 | 第35-37页 |
| 3.7 光导ZnSe薄膜作为取向层的液晶快速响应特性的研究 | 第37-38页 |
| 3.8 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 基于PVK：TNF的液晶聚合物快速响应光折变效应的研究 | 第39-51页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 PVK：5CB：C_(60)样品制备 | 第39-40页 |
| 4.3 PVK：5CB：C_(60)样品的二波耦合特性研究 | 第40-41页 |
| 4.4 PVK：5CB：C_(60)样品的四波混频特性研究 | 第41-44页 |
| 4.5 光导PVK：TNF薄膜作为取向层的聚合物快速响应特性的研究 | 第44-45页 |
| 4.6 双曝光干涉计量实验 | 第45-46页 |
| 4.7 PVK：TNF薄膜的时间飞行法测量实验 | 第46-48页 |
| 4.8 直接溅射ITO作为电极的聚合物液晶快速响应的研究 | 第48-50页 |
| 4.9 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
