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不同切割方式对GaN基LED芯片外量子效率影响的研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4页
第一章 绪论第6-14页
    1.1 GaN 基 LED 简介第6-11页
        1.1.1 LED 原理及发展历程第6-8页
        1.1.2 LED 芯片的优点第8-9页
        1.1.3 LED 的应用及发展状况第9-11页
    1.2 GaN 基 LED 的发光效率第11-14页
        1.2.1 GaN 基 LED 器件中各种效率的定义第11-12页
        1.2.2 影响 GaN 基 LED 各种效率的主要因素第12-14页
第二章 不同切割方式的发展演变历程第14-22页
    2.1 传统刀切方式第14-15页
        2.1.1 金刚石划片第14-15页
        2.1.2 金刚石砂轮刀片锯切第15页
    2.2 激光划片第15-21页
        2.2.1 激光划片原理简介第15-17页
        2.2.2 不同波长激光器的划片效果对比第17-21页
    2.3 小结第21-22页
第三章 激光切割对 GaN 基 LED 芯片外量子效率的影响第22-28页
    3.1 蓝宝石结构介绍第22-25页
        3.1.1 蓝宝石晶体的生长方法第23-24页
        3.1.2 蓝宝石基板种类第24-25页
    3.2 紫外激光划片效果第25-26页
    3.3 紫外激光切割对芯片外量子效率的影响第26-27页
    3.4 小结第27-28页
第四章 SD 划片方式第28-40页
    4.1 SD 划片方式介绍第28-32页
        4.1.1 SD 划片原理第28-29页
        4.1.2 SD 划片的热影响第29-31页
        4.1.3 SD 划片对环境的影响第31-32页
    4.2 SD 划片对芯片外量子效率的影响第32-35页
        4.2.1 SD 划片对芯片外量子效率的影响第32-35页
        4.2.2 小结第35页
    4.3 SD 划片与紫外划片对比第35-40页
        4.3.1 与紫外划片比较,SD 划片的优点第35-38页
        4.3.2 与紫外划片比较,SD 划片的缺点第38页
        4.3.3 小结第38-40页
第五章 总结第40-42页
致谢第42-44页
参考文献第44-46页

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