| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 半导体存储器 | 第8-13页 |
| 1.1.1 传统的Flash存储器 | 第9-10页 |
| 1.1.2 新型非易失随机存储器 | 第10-13页 |
| 1.2 阻变随机存储器的研究简介 | 第13-16页 |
| 1.2.1 阻变随机存储器的基本结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 阻变随机存储器的电学特性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 阻变随机存储器材料应用的发展 | 第15-16页 |
| 1.3 阻变随机存储器的阻变机制 | 第16-21页 |
| 1.3.1 氧空位模型 | 第16-17页 |
| 1.3.2 金属细丝模型 | 第17-20页 |
| 1.3.3 肖特基发射机制 | 第20-21页 |
| 1.3.4 Pool-Frenkel(P-F)导电机制 | 第21页 |
| 1.3.5 空间电荷限制电流(SCLC)机制 | 第21页 |
| 1.4 基于Al_xO_y阻变存储器的研究意义 | 第21-23页 |
| 2 器件制备及表征方法 | 第23-28页 |
| 2.1 器件制备 | 第23-25页 |
| 2.1.1 原子层沉积法制备介质层 | 第23-25页 |
| 2.1.2 溅射法制备金属电极 | 第25页 |
| 2.2 阻变存储器的表征方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 I-V特性曲线测试 | 第25-26页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱(XPS)测试 | 第26-28页 |
| 3 Ag/Al_xO_y/P-Si阻变存储器的测试结果与分析 | 第28-34页 |
| 3.1 Ag/Al_xO_y/P-Si器件测试过程 | 第28页 |
| 3.2 器件的电学特性分析 | 第28-32页 |
| 3.2.1 I-V特性曲线 | 第28-29页 |
| 3.2.2 不同电极面积下的开态电阻和关态电阻 | 第29-30页 |
| 3.2.3 温度对器件I-V电学特性的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.4 Al_xO_y薄膜的X射线光电子谱 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 4 Ag/Al_xO_y/P-Si器件的亚能带传输机理分析 | 第34-41页 |
| 4.1 Ag/Al_xO_y/P-Si器件的能带图分析 | 第34-36页 |
| 4.2 Ag/Al_xO_y/P-Si器件的传输路径分析 | 第36-38页 |
| 4.3 Ag/Al_xO_y/P-Si器件内部电荷传输机理分析 | 第38-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
