| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第10-11页 |
| 1.2.1 纳米材料的性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 纳米材料的应用 | 第11页 |
| 1.3 金属氧化物纳米材料及其分类 | 第11-14页 |
| 1.4 氧化镓纳米材料研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4.1 氧化镓晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.4.2 氧化镓纳米线光学、电学性质与应用 | 第15页 |
| 1.4.3 氧化镓纳米线国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.5 本论文选题依据与内容 | 第17-18页 |
| 第2章 实验设备和样品表征方法 | 第18-22页 |
| 2.1 制备氧化镓纳米线的实验设备 | 第18-19页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第18页 |
| 2.1.2 RTP快速退火炉 | 第18页 |
| 2.1.3 单温区真空管式炉 | 第18-19页 |
| 2.2 氧化镓纳米线表征方法 | 第19-22页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪（XRD） | 第19页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第19页 |
| 2.2.3 能量散射X射线谱仪（EDS） | 第19-20页 |
| 2.2.4 光致发光光谱（PL） | 第20页 |
| 2.2.5 拉曼散射光谱（Raman） | 第20-22页 |
| 第3章 CVD法制备氧化镓纳米线阵列的研究 | 第22-32页 |
| 3.1 实验过程 | 第22-23页 |
| 3.1.1 实验材料准备 | 第22页 |
| 3.1.2 实验步骤 | 第22-23页 |
| 3.2 β-Ga_2O_3纳米线X射线衍射图谱 | 第23-24页 |
| 3.3 拉曼散射光谱 | 第24-25页 |
| 3.4 扫描电子显微镜图像SEM | 第25-26页 |
| 3.5 β-Ga_2O_3纳米线生长机理讨论 | 第26-29页 |
| 3.6 生长过程中出现的其它纳米结构 | 第29-30页 |
| 3.7 本章小结 | 第30-32页 |
| 第4章 催化剂以及生长条件对 β-Ga_2O_3纳米线结构和光学性质的影响研究 | 第32-40页 |
| 4.1 生长衬底对氧化镓纳米线结构的影响 | 第32-34页 |
| 4.2 影响Au催化剂形貌的因素 | 第34-35页 |
| 4.3 催化剂形貌对氧化镓纳米线结构的影响 | 第35-36页 |
| 4.4 生长时间对氧化镓纳米线结构的影响 | 第36-37页 |
| 4.5 不同形貌的催化剂对氧化镓纳米线的PL谱研究 | 第37-38页 |
| 4.6 快速退火处理对氧化镓纳米线阵列PL谱的影响 | 第38-39页 |
| 4.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 基于氧化镓纳米线阵列结构的紫外光电探测器件的制备 | 第40-48页 |
| 5.1 纳米结构紫外光电探测性能研究 | 第40-41页 |
| 5.1.1 纳米光电器件简介 | 第40页 |
| 5.1.2 氧化物纳米结构紫外探测器件的制备方法 | 第40-41页 |
| 5.2 基于氧化镓纳米结构的紫外探测器 | 第41-46页 |
| 5.2.1 叉指电极与网络状氧化镓纳米线器件制备与分析 | 第42-43页 |
| 5.2.2 叉指电极直接生长氧化镓纳米线器件制备与分析 | 第43-44页 |
| 5.2.3 垂直型自供电 β-Ga_2O_3纳米线紫外光电探测器件制备与分析 | 第44-46页 |
| 5.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
