| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第15-29页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 太阳电池的分类及发展 | 第15-18页 |
| 1.3 铜铟镓硒薄膜太阳电池简介 | 第18-22页 |
| 1.3.1 铜铟镓硒薄膜太阳电池的国内外发展现状 | 第18-19页 |
| 1.3.2 铜铟镓硒薄膜电池的结构及工作原理 | 第19-22页 |
| 1.4 MO背电极与铜铟镓硒薄膜的制备工艺 | 第22-26页 |
| 1.4.1 Mo背电极的制备工艺 | 第22-23页 |
| 1.4.2 铜铟镓硒薄膜的制备工艺 | 第23-26页 |
| 1.5 课题的提出 | 第26-27页 |
| 1.6 课题来源及研究内容 | 第27-29页 |
| 1.6.1 课题来源 | 第27页 |
| 1.6.2 本文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 铜铟镓硒薄膜电池的关键工艺及测试方法 | 第29-43页 |
| 2.1 铜铟镓硒薄膜电池的制备工艺流程 | 第29-30页 |
| 2.2 MO背电极的脉冲直流磁控溅射制备工艺 | 第30-33页 |
| 2.2.1 脉冲直流磁控溅射系统 | 第30-31页 |
| 2.2.2 磁控溅射薄膜生长及脉冲直流电源的工作特点 | 第31-33页 |
| 2.3 Cu/In/Ga金属预制层的电化学沉积制备工艺 | 第33-36页 |
| 2.3.1 电沉积Cu/In/Ga金属预制层的实验装置 | 第33-34页 |
| 2.3.2 顺序电沉积的过程原理 | 第34-35页 |
| 2.3.3 电流效率计算 | 第35-36页 |
| 2.4 金属预制层热处理与刻蚀、硒化的制备工艺 | 第36-38页 |
| 2.4.1 金属预制层热处理与刻蚀的制备工艺 | 第36-37页 |
| 2.4.2 等离子体硒化的制备工艺 | 第37-38页 |
| 2.5 薄膜及CIGS太阳电池分析测试方法 | 第38-43页 |
| 2.5.1 薄膜测试方法 | 第38-42页 |
| 2.5.2 太阳电池测试方法 | 第42-43页 |
| 第三章 Mo背电极的脉冲直流溅射制备工艺研究 | 第43-59页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 溅射气压对MO薄膜的影响 | 第44-50页 |
| 3.2.1 Mo薄膜的电学性能 | 第44-45页 |
| 3.2.2 Mo薄膜的表面特征 | 第45-47页 |
| 3.2.3 Mo薄膜的晶体结构 | 第47-48页 |
| 3.2.4 Mo薄膜的应力分析 | 第48-50页 |
| 3.3 溅射膜厚对MO薄膜的影响 | 第50-52页 |
| 3.3.1 Mo薄膜的电学性能 | 第50-51页 |
| 3.3.2 Mo薄膜的表面裂纹及应力 | 第51-52页 |
| 3.4 MO背电极的设计及优化 | 第52-57页 |
| 3.4.1 双层Mo背电极的设计 | 第52-53页 |
| 3.4.2 Mo背电极的表层结构优化 | 第53-56页 |
| 3.4.3 Mo背电极的底层结构优化 | 第56-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 Mo薄膜表面特性的研究 | 第59-77页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 MO薄膜的表面修饰 | 第59-60页 |
| 4.3 MO薄膜表面对电沉积Cu、In和Ga层的影响 | 第60-68页 |
| 4.3.1 Mo薄膜表面对电沉积Cu层的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.2 Mo薄膜表面对电沉积Cu/In层的影响 | 第62-65页 |
| 4.3.3 Mo薄膜表面对电沉积Cu/In/Ga层的影响 | 第65-68页 |
| 4.4 MO薄膜表面对Cu-In-Ga金属预制层的影响 | 第68-72页 |
| 4.4.1 形貌及表面元素分布 | 第68-70页 |
| 4.4.2 物相分析 | 第70-72页 |
| 4.5 MO薄膜表面对CIGS薄膜的影响 | 第72-76页 |
| 4.5.1 表面及断面形貌 | 第72-74页 |
| 4.5.2 物相分析 | 第74-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 等离子体刻蚀Cu-In-Ga金属预制层的研究 | 第77-91页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 等离子体刻蚀对Cu-In-Ga金属预制层的影响 | 第78-82页 |
| 5.2.1 表面及断面形貌 | 第78-80页 |
| 5.2.2 XRF、XPS和XRD分析 | 第80-82页 |
| 5.3 等离子体刻蚀金属预制层对CIGS薄膜的影响 | 第82-88页 |
| 5.3.1 表面及断面形貌 | 第82-84页 |
| 5.3.2 成分分析 | 第84-86页 |
| 5.3.3 物相分析 | 第86-88页 |
| 5.4 CIGS薄膜电池的性能分析 | 第88-90页 |
| 5.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 铜铟镓硒薄膜生长的等离子体硒化过程分析 | 第91-106页 |
| 6.1 引言 | 第91页 |
| 6.2 不同衬底温度等离子体硒化对CIGS薄膜的影响 | 第91-101页 |
| 6.2.1 成分分析 | 第91-92页 |
| 6.2.2 物相分析 | 第92-99页 |
| 6.2.3 表面形貌分析 | 第99-101页 |
| 6.3 等离子体硒化的反应路径 | 第101-105页 |
| 6.4 本章小结 | 第105-106页 |
| 第七章 金属预制层热处理与等离子体硒化的研究 | 第106-122页 |
| 7.1 引言 | 第106-107页 |
| 7.2 金属预制层热处理 | 第107-109页 |
| 7.3 热处理温度与等离子体硒化功率对CIGS薄膜的影响 | 第109-118页 |
| 7.3.1 表面形貌 | 第109-110页 |
| 7.3.2 拉曼与XPS分析 | 第110-112页 |
| 7.3.3 XRD与成分分析 | 第112-115页 |
| 7.3.4 断面形貌及SIMS分析 | 第115-118页 |
| 7.4 CIGS薄膜电池的性能分析 | 第118-120页 |
| 7.5 本章小结 | 第120-122页 |
| 结论 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-135页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 附件 | 第139页 |
