| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.1 纳米材料的制备 | 第8页 |
| 1.1.2 纳米材料性能研究 | 第8-9页 |
| 1.2 低能离子束辐照法制备硅表面自组装纳米结构 | 第9-11页 |
| 1.2.1 离子辐照诱发自组装纳米结构研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2.2 离子束辐照物质表面诱发自组装纳米结构研究进展 | 第10-11页 |
| 1.3 铜基石墨烯能损研究 | 第11-15页 |
| 1.3.1 石墨烯能损研究意义 | 第11-12页 |
| 1.3.2 能损研究进展 | 第12-15页 |
| 1.4 本论文的内容安排 | 第15-17页 |
| 第二章 理论基础 | 第17-24页 |
| 2.1 自组装 | 第17-19页 |
| 2.1.1 自组装机理简介 | 第17-19页 |
| 2.2 能损 | 第19-24页 |
| 2.2.1 能损机理简介 | 第19-21页 |
| 2.2.2 能损测量原理 | 第21-24页 |
| 第三章 实验技术 | 第24-30页 |
| 3.1 实验平台 | 第24-28页 |
| 3.1.1 真空系统 | 第24-25页 |
| 3.1.2 主靶室 | 第25-26页 |
| 3.1.3 预操作靶室 | 第26页 |
| 3.1.4 离子源 | 第26-27页 |
| 3.1.5 能损实验装置 | 第27页 |
| 3.1.6 TOF | 第27-28页 |
| 3.2 实验材料 | 第28页 |
| 3.2.1 溅射Si(111)靶材 | 第28页 |
| 3.2.2 铜基石墨烯样品 | 第28页 |
| 3.3 实验方法 | 第28-30页 |
| 3.3.1 Ar~+辐照Si(111)表面 | 第28-29页 |
| 3.3.2 铜基石墨烯能损研究 | 第29-30页 |
| 第四章 Ar~+辐照诱发Si(111)表面形貌实验结果 | 第30-34页 |
| 4.1 Ar~+辐照诱发Si(111)表面形貌实验结果 | 第30页 |
| 4.2 讨论 | 第30-34页 |
| 4.2.1 Ar沉积剂量为 5×1016/cm~2的样品表面具体细节 | 第30-32页 |
| 4.2.2 不同沉积剂量导致样品表面形貌差异较大 | 第32-34页 |
| 第五章 铜基石墨烯能损实验 | 第34-46页 |
| 5.1 实验结果 | 第34-42页 |
| 5.1.1 样品处理 | 第34-38页 |
| 5.1.1.1 样品预处理 | 第34-36页 |
| 5.1.1.2 真空环境样品准备 | 第36-37页 |
| 5.1.1.3 样品表面破坏 | 第37-38页 |
| 5.1.2 能损结果 | 第38-42页 |
| 5.1.2.1 能量的测量 | 第38-40页 |
| 5.1.2.2 测量结果 | 第40-42页 |
| 5.2 讨论 | 第42-46页 |
| 5.2.1 DEX的检测报告没有给出C的信号峰 | 第42-43页 |
| 5.2.2 XPS图谱与TOF谱图的对应关系 | 第43-44页 |
| 5.2.3 石墨烯的损伤问题 | 第44-45页 |
| 5.2.4 石墨烯能损结果与SRIM的差异 | 第45-46页 |
| 第六章 总结及展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 在学期间的科研成果 | 第52-54页 |
| 一、发表论文 | 第52-53页 |
| 二、专利成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
