薄膜衬底材料中俄歇电子能谱的蒙特卡洛模拟
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 薄膜厚度表征 | 第11页 |
| 1.2 俄歇电子能谱的基本原理 | 第11-18页 |
| 1.2.1 俄歇电子的产生 | 第12-13页 |
| 1.2.2 俄歇电子能量 | 第13-15页 |
| 1.2.3 俄歇跃迁几率 | 第15-16页 |
| 1.2.4 平均自由程与平均逃逸深度 | 第16-17页 |
| 1.2.5 俄歇电子能谱 | 第17-18页 |
| 1.3 有效衰减长度 | 第18-23页 |
| 1.3.1 IMFP、AL、EAL的定义 | 第19-20页 |
| 1.3.2 薄膜衬底模型中的EAL计算 | 第20-23页 |
| 1.4 定量俄歇分析 | 第23-27页 |
| 第二章 理论模型 | 第27-39页 |
| 2.1 弹性散射理论 | 第27-30页 |
| 2.1.1 弹性散射微分截面 | 第27页 |
| 2.1.2 弹性散射总截面 | 第27-30页 |
| 2.2 非弹性散射理论 | 第30-35页 |
| 2.2.1 介电函数理论 | 第30-34页 |
| 2.2.2 非弹性散射总截面 | 第34页 |
| 2.2.3 内壳层电离及弛豫过程 | 第34-35页 |
| 2.3 Tougaard背景扣除 | 第35-39页 |
| 第三章 Monte Carlo模拟计算 | 第39-45页 |
| 3.1 Monte Carlo方法简介 | 第39页 |
| 3.2 模型与抽样方法 | 第39-43页 |
| 3.3 俄歇电子能谱以及有效AES的具体实现 | 第43-45页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 4.1 弹性峰附近能谱 | 第45-47页 |
| 4.2 俄歇峰附近能谱 | 第47页 |
| 4.3 有效俄歇电子能谱 | 第47-50页 |
| 4.4 有效衰减长度的计算 | 第50-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 论文总结 | 第55页 |
| 5.2 工作的未来展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第63页 |
