容性耦合放电的PIC模型
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 低温等离子体的应用背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 集成电路行业发展现状 | 第9-10页 |
| 1.1.2 等离子体刻蚀与沉积 | 第10-11页 |
| 1.2 等离子体源简介 | 第11-14页 |
| 1.3 数值模拟 | 第14-17页 |
| 1.3.1 数值模拟方法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 数值模拟研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 PIC模拟方法简述 | 第18-33页 |
| 2.1 PIC发展简史 | 第18-19页 |
| 2.2 PIC模型的基本流程和算法 | 第19-29页 |
| 2.2.1 PIC基本流程 | 第19页 |
| 2.2.2 求牛顿-洛仑兹方程 | 第19-20页 |
| 2.2.3 蛙跳算法的稳定性 | 第20-21页 |
| 2.2.4 静电模型 | 第21-23页 |
| 2.2.5 电势的计算 | 第23页 |
| 2.2.6 电磁模型中的麦克斯韦方程求解 | 第23-25页 |
| 2.2.7 时间步长的柯朗条件 | 第25-26页 |
| 2.2.8 粒子形状的插值方法和线性加权法 | 第26-28页 |
| 2.2.9 电磁模型中的电流参量 | 第28-29页 |
| 2.3 蒙特卡罗碰撞法 | 第29-33页 |
| 第三章 射频容性耦合氧气放电的模拟 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 平板电容耦合放电模型 | 第34-37页 |
| 3.3 模拟结果与分析 | 第37-46页 |
| 3.3.1 射频电源电压的改变 | 第37-40页 |
| 3.3.2 工作气体压强的改变 | 第40-43页 |
| 3.3.3 放电间距的改变 | 第43-46页 |
| 3.4 结论 | 第46-47页 |
| 第四章 射频容性耦合氩气放电的模拟 | 第47-55页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 放电模型 | 第47-48页 |
| 4.3 模拟结果和分析 | 第48-54页 |
| 4.3.1 工作气体压强的改变 | 第48-50页 |
| 4.3.2 射频电源电压的改变 | 第50-52页 |
| 4.3.3 放电间距的改变 | 第52-54页 |
| 4.4 小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
