| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 前言 | 第11-33页 |
| ·薄膜晶体管的历史背景 | 第11-12页 |
| ·薄膜晶体管在平板显示器中的应用 | 第12-14页 |
| ·TFT在LCD中的应用 | 第12-13页 |
| ·TFT在OLED中的应用 | 第13-14页 |
| ·硅基薄膜晶体管的研究现状与不足 | 第14-15页 |
| ·ZnO基薄膜晶体管的优点与研究进展 | 第15-20页 |
| ·ZnO基薄膜晶体管的优点 | 第15页 |
| ·ZnO基薄膜晶体管的研究进展 | 第15-20页 |
| ·薄膜晶体管原理 | 第20-21页 |
| ·薄膜晶体管电学性能表征 | 第21-22页 |
| ·薄膜晶体管的器件结构 | 第22-23页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-33页 |
| 2 ZnO薄膜晶体管的研制 | 第33-51页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·ZnO薄膜晶体管的制备 | 第33-35页 |
| ·实验结果与讨论 | 第35-48页 |
| ·ZnO薄膜厚度对ZnO-TFT性能的影响 | 第35-40页 |
| ·退火温度对ZnO-TFT性能的影响 | 第40-44页 |
| ·W/L对ZnO-TFT性能的影响 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 3 GZO薄膜晶体管的研制 | 第51-75页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·GZO薄膜晶体管的制备 | 第51-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-71页 |
| ·衬底温度对GZO-TFT电学性能的影响 | 第53-57页 |
| ·氧气流量对GZO-TFT电学性能的影响 | 第57-61页 |
| ·退火温度对GZO-TFT电学性能的影响 | 第61-64页 |
| ·GZO薄膜厚度对GZO-TFT电学性能的影响 | 第64-68页 |
| ·GZO-TFT电学性能随时间的变化 | 第68-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 4 MgZnO薄膜及MgZnO薄膜晶体管的研制 | 第75-93页 |
| ·引言 | 第75-76页 |
| ·MgZnO薄膜及MgZnO薄膜晶体管的制备 | 第76-78页 |
| ·MgZnO薄膜的生长 | 第76-77页 |
| ·MgZnO-TFT的制备 | 第77-78页 |
| ·实验结果与讨论 | 第78-89页 |
| ·MgZnO薄膜的性能 | 第78-84页 |
| ·衬底温度对MgZnO薄膜特性的影响 | 第78-80页 |
| ·Mg源温度对MgZnO薄膜特性的影响 | 第80-82页 |
| ·MgO缓冲层厚度对MgZnO薄膜特性的影响 | 第82-84页 |
| ·MgZnO薄膜晶体管的性能 | 第84-89页 |
| ·MgZnO-TFT的电学性能 | 第84-86页 |
| ·MgO缓冲层厚度对MgZnO-TFT电学性能的影响 | 第86-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 5 结论 | 第93-95页 |
| 作者简历 | 第95-99页 |
| 学位论文数据集 | 第99页 |