| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 射频收/发开关和移相器的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 开关的研究动态 | 第11-13页 |
| 1.2.2 移相器研究动态 | 第13-14页 |
| 1.3 研究内容和设计指标 | 第14-15页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第14-15页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第2章 无源元件概述 | 第17-29页 |
| 2.1 电阻 | 第17-19页 |
| 2.1.1 扩散电阻 | 第17-18页 |
| 2.1.2 多晶硅电阻 | 第18页 |
| 2.1.3 阱电阻 | 第18-19页 |
| 2.2 电感 | 第19-22页 |
| 2.2.1 电感的主要特性参数 | 第19-20页 |
| 2.2.2 平面螺旋电感 | 第20-22页 |
| 2.3 电容 | 第22-23页 |
| 2.4 传输线 | 第23-27页 |
| 2.4.1 传输线分布参数模型 | 第24-25页 |
| 2.4.2 传输线的分类 | 第25-26页 |
| 2.4.3 微带线 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 射频收/发开关 | 第29-43页 |
| 3.1 单个晶体管性能分析 | 第29-30页 |
| 3.2 射频开关的基本结构 | 第30-31页 |
| 3.3 射频开关的基本性能指标 | 第31-33页 |
| 3.4 射频收/发开关的设计 | 第33-42页 |
| 3.4.1 整体结构 | 第33-35页 |
| 3.4.2 晶体管尺寸优化 | 第35页 |
| 3.4.3 体悬浮(Body-floating)技术 | 第35-37页 |
| 3.4.4 LC谐振技术 | 第37-39页 |
| 3.4.5 深阱工艺 | 第39页 |
| 3.4.6 射频收/发开关的前仿结果 | 第39-41页 |
| 3.4.7 开关各种工艺角前仿真结果汇总 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 移相器 | 第43-59页 |
| 4.1 移相器的分类 | 第43-46页 |
| 4.2 移相器的性能指标 | 第46-47页 |
| 4.3 移相器的设计 | 第47-57页 |
| 4.3.1 T型开关移相器与∏型开关移相器对比 | 第47-50页 |
| 4.3.2 MOS开关管衬底-源端连接 | 第50-51页 |
| 4.3.3 微带线的设计 | 第51-52页 |
| 4.3.4 移相器级联 | 第52页 |
| 4.3.5 5-bit T型开关移相器的实现 | 第52-54页 |
| 4.3.6 移相器的前仿结果 | 第54-57页 |
| 4.3.7 移相器各种工艺角前仿真结果汇总 | 第57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 版图设计及后仿 | 第59-73页 |
| 5.1 版图设计注意事项 | 第59-61页 |
| 5.1.1 版图寄生参数 | 第59页 |
| 5.1.2 线电流密度 | 第59-60页 |
| 5.1.3 版图匹配性及布局等设计考虑 | 第60页 |
| 5.1.4 闩锁效应 | 第60页 |
| 5.1.5 射频电路版图设计注意事项 | 第60-61页 |
| 5.2 射频收/发开关和移相器版图 | 第61-62页 |
| 5.3 版图后仿真结果及分析 | 第62-72页 |
| 5.3.1 射频收/发开关后仿真结果及分析 | 第62-64页 |
| 5.3.2 射频收/发开关优化后的仿真结果 | 第64-67页 |
| 5.3.3 移相器后仿真结果及分析 | 第67-70页 |
| 5.3.4 开关和移相器各种工艺角后仿真结果汇总 | 第70-71页 |
| 5.3.5 仿真结果与设计指标对比 | 第71-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 总结 | 第73页 |
| 6.2 展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81页 |