| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 Ge量子点制备技术的研究进展 | 第7-14页 |
| 1.2.1 Ge量子点的物理制备技术 | 第8-11页 |
| 1.2.2 Ge量子点的化学制备技术 | 第11-14页 |
| 1.3 多层Ge/Si量子点的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4 本课题的来源和主要研究内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 本课题的来源 | 第15-16页 |
| 1.4.2 本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文的特色和创新点 | 第17-18页 |
| 第二章 实验概述 | 第18-31页 |
| 2.1 实验仪器简介 | 第18-27页 |
| 2.1.1 超高真空离子束溅射仪 | 第18-21页 |
| 2.1.2 去离子水机 | 第21-24页 |
| 2.1.3 仪器操作流程 | 第24-27页 |
| 2.2 正交试验法简介 | 第27页 |
| 2.3 样品表征仪器简介 | 第27-31页 |
| 2.3.1 拉曼光谱仪(Raman) | 第27-28页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| 2.3.3 光致发光谱(PL) | 第29-31页 |
| 第三章 单双层Ge/Si量子点的研究及其优化 | 第31-49页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 实验过程 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-48页 |
| 3.3.1 单层Ge/Si量子点较优参数的选取 | 第33-37页 |
| 3.3.2 隔离层厚度对双层Ge/Si量子点影响的探究 | 第37-40页 |
| 3.3.3 正交试验的结果与讨论 | 第40-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 多层Ge/Si量子点的制备及其光学性能的研究 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验过程 | 第50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-58页 |
| 4.3.1 三层量子点的形貌分析 | 第50-53页 |
| 4.3.2 四层量子点的形貌分析 | 第53-55页 |
| 4.3.3 五层量子点的的形貌分析 | 第55-57页 |
| 4.3.4 多层量子点光学性能的研究 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-70页 |
| 附录 攻读硕士期间发表论文、主持项目和获得的奖励 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |