| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 TiAl基合金的晶体结构、组织和性能 | 第11-14页 |
| 1.2.1 TiAl合金的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 TiAl合金的组织结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 TiAl合金的性能 | 第13-14页 |
| 1.3 氢在TiAl合金中的溶解与扩散 | 第14-18页 |
| 1.3.1 氢在TiAl合金中的溶解 | 第14-17页 |
| 1.3.2 氢在TiAl合金中的扩散 | 第17-18页 |
| 1.4 TiAl合金氢致热塑性机理研究 | 第18-21页 |
| 1.4.1 TiAl合金热氢处理工艺 | 第18页 |
| 1.4.2 TiAl合金氢致热塑性机理研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.3 氢在TiAl合金中的作用机理 | 第21页 |
| 1.5 第一性原理在材料研究中的应用 | 第21-25页 |
| 1.5.1 晶体本征性质的第一性原理研究 | 第21-22页 |
| 1.5.2 原子扩散和空位形成的第一性原理研究 | 第22-24页 |
| 1.5.3 晶体层错能的第一性原理研究 | 第24-25页 |
| 1.5.4 第一性原理计算的特点 | 第25页 |
| 1.6 本文的研究目的和主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 理论模型与计算方法 | 第27-38页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第27-32页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第27-28页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第28-29页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第29-30页 |
| 2.2.4 交换关联泛函 | 第30-32页 |
| 2.3 平面波与截断能 | 第32-33页 |
| 2.4 赝势法 | 第33-34页 |
| 2.5 CASTEP计算软件简介 | 第34-35页 |
| 2.6 能量势垒计算方法 | 第35-38页 |
| 2.6.1 刚性位移法 | 第35页 |
| 2.6.2 微动弹性带法 | 第35-38页 |
| 第3章 γ-TiAl(H)晶体中氢原子的占位 | 第38-60页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 晶体结构模型 | 第38-39页 |
| 3.3 计算方法和计算参数 | 第39-44页 |
| 3.3.1 计算方法 | 第39页 |
| 3.3.2 计算参数 | 第39-44页 |
| 3.4 计算结果与讨论 | 第44-58页 |
| 3.4.1 γ-TiAl晶体的晶格常数及能量计算 | 第44-45页 |
| 3.4.2 氢在γ-TiAl晶体中的占位 | 第45-52页 |
| 3.4.3 氢对γ-TiAl晶体电子结构的影响 | 第52-57页 |
| 3.4.4 氢对γ-TiAl晶体弹性性质的影响 | 第57-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 γ-TiAl(H)晶体中的原子扩散性质 | 第60-83页 |
| 4.1 引言 | 第60页 |
| 4.2 氢原子在γ-TiAl晶体中的扩散性质 | 第60-66页 |
| 4.2.1 扩散模型与计算方法 | 第60-62页 |
| 4.2.2 计算结果与讨论 | 第62-66页 |
| 4.3 氢对γ-TiAl晶体中点缺陷浓度的影响 | 第66-75页 |
| 4.3.1 晶体模型与计算方法 | 第66-68页 |
| 4.3.2 计算结果与讨论 | 第68-75页 |
| 4.4 氢对 γ-TiAl晶体中原子自扩散性质的影响 | 第75-81页 |
| 4.4.1 扩散模型与计算方法 | 第75-77页 |
| 4.4.2 计算结果与讨论 | 第77-81页 |
| 4.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 γ-TiAl(H)晶体的广义层错能 | 第83-95页 |
| 5.1 引言 | 第83页 |
| 5.2 晶体模型与计算方法 | 第83-86页 |
| 5.2.1 晶体模型 | 第83-85页 |
| 5.2.2 计算方法 | 第85-86页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第86-94页 |
| 5.3.1 γ-TiAl(111)面收敛性测试 | 第86-87页 |
| 5.3.2 γ-TiAl晶体的广义层错能 | 第87-88页 |
| 5.3.3 γ-TiAl(H)晶体的广义层错能 | 第88-92页 |
| 5.3.4 电子结构分析 | 第92-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 结论 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-105页 |
| 致谢 | 第105页 |