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双DBR半导体激光器工艺初步研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第8-17页
    1.1 半导体激光器发展概述第8-9页
    1.2 半导体激光器原理第9-11页
    1.3 双波长半导体激光器发展历程第11-16页
    1.4 研究意义第16页
    1.5 论文工作第16-17页
第二章 DBR半导体激光器相关理论与设计第17-25页
    2.1 布拉格条件第17-18页
    2.2 分布反馈布拉格反射器第18-20页
    2.3 布拉格反射器原理第20-23页
    2.4 DBR半导体激光器实验参数设计第23-24页
    2.5 本章小结第24-25页
第三章 设备原理及介绍第25-32页
    3.1 MOCVD设备介绍第25-27页
    3.2 全息曝光原理第27-28页
    3.3 ICP干法刻蚀技术第28-30页
    3.4 扫描电镜原理 (SEM)第30-31页
    3.5 本章小结第31-32页
第四章 DBR与锥形放大器结构半导体激光器制备工艺第32-47页
    4.1 外延材料的生长第33-34页
    4.2 脊形波导的制备方法第34-35页
    4.3 光栅刻蚀方法选择第35-36页
    4.4 实验过程与分析第36-43页
    4.5 锥形放大器制备工艺第43-45页
    4.6 本章小结第45-47页
第五章 DBR结构和锥形结构半导体激光器工艺及器件输出特性第47-52页
    5.1 DBR半导体激光器光功率测量原理及结果第47-48页
    5.2 DBR半导体激光器光谱测量原理及结果第48-50页
    5.3 锥形结构半导体激光器光功率测量结果第50-51页
    5.4 本章小结第51-52页
结论第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-57页
硕士期间学术成果情况第57页

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