摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-17页 |
1.1 半导体激光器发展概述 | 第8-9页 |
1.2 半导体激光器原理 | 第9-11页 |
1.3 双波长半导体激光器发展历程 | 第11-16页 |
1.4 研究意义 | 第16页 |
1.5 论文工作 | 第16-17页 |
第二章 DBR半导体激光器相关理论与设计 | 第17-25页 |
2.1 布拉格条件 | 第17-18页 |
2.2 分布反馈布拉格反射器 | 第18-20页 |
2.3 布拉格反射器原理 | 第20-23页 |
2.4 DBR半导体激光器实验参数设计 | 第23-24页 |
2.5 本章小结 | 第24-25页 |
第三章 设备原理及介绍 | 第25-32页 |
3.1 MOCVD设备介绍 | 第25-27页 |
3.2 全息曝光原理 | 第27-28页 |
3.3 ICP干法刻蚀技术 | 第28-30页 |
3.4 扫描电镜原理 (SEM) | 第30-31页 |
3.5 本章小结 | 第31-32页 |
第四章 DBR与锥形放大器结构半导体激光器制备工艺 | 第32-47页 |
4.1 外延材料的生长 | 第33-34页 |
4.2 脊形波导的制备方法 | 第34-35页 |
4.3 光栅刻蚀方法选择 | 第35-36页 |
4.4 实验过程与分析 | 第36-43页 |
4.5 锥形放大器制备工艺 | 第43-45页 |
4.6 本章小结 | 第45-47页 |
第五章 DBR结构和锥形结构半导体激光器工艺及器件输出特性 | 第47-52页 |
5.1 DBR半导体激光器光功率测量原理及结果 | 第47-48页 |
5.2 DBR半导体激光器光谱测量原理及结果 | 第48-50页 |
5.3 锥形结构半导体激光器光功率测量结果 | 第50-51页 |
5.4 本章小结 | 第51-52页 |
结论 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-57页 |
硕士期间学术成果情况 | 第57页 |