| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 主要符号对照表 | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-43页 |
| 1.1 引言 | 第14-16页 |
| 1.2 二维过渡金属二硫族化合物的基本特性 | 第16-28页 |
| 1.2.1 过渡金属二硫族化合物在二维极限下间接带隙到直接带隙的转变 | 第16-19页 |
| 1.2.2 基于过渡金属二硫族化合物的光电子器件 | 第19-22页 |
| 1.2.3 过渡金属二硫族化合物的谷电子学 | 第22-25页 |
| 1.2.4 过渡金属二硫族化合物中的超导和电荷密度波 | 第25-28页 |
| 1.3 过渡金属二硫族化合物范德瓦尔斯异质结 | 第28-31页 |
| 1.3.1 范德瓦尔斯异质结的制备 | 第28-30页 |
| 1.3.2 过渡金属二硫族化合物范德瓦尔斯异质结的器件应用 | 第30-31页 |
| 1.4 二维材料中的载流子调控 | 第31-33页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-43页 |
| 第二章 样品的制备、表征和测量 | 第43-50页 |
| 2.1 机械剥离法制备薄层样品 | 第43-44页 |
| 2.2 二维TMDs电学器件的制备 | 第44-47页 |
| 2.2.1 二维TMDs器件的制备 | 第44-46页 |
| 2.2.2 二维TMDs范德瓦尔斯异质结的制备 | 第46-47页 |
| 2.3 二维TMDs样品的测量 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第三章 单层和双层MoS_2的载流子调控 | 第50-65页 |
| 3.1 薄层MoS_2的基本性质 | 第50-54页 |
| 3.2 离子液体调控方法 | 第54-56页 |
| 3.3 离子液体调控下MoS_2的低温输运性质 | 第56-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第四章 高载流子浓度下MoS_2的二维超导 | 第65-94页 |
| 4.1 二维超导简介 | 第65-67页 |
| 4.2 双层MoS_2在高载流子浓度下的二维超导 | 第67-80页 |
| 4.2.1 双层MoS_2的超导转变 | 第67-71页 |
| 4.2.2 双层MoS_2超导的BKT拟合 | 第71-73页 |
| 4.2.3 双层MoS_2超导中的涡旋运动 | 第73-76页 |
| 4.2.4 背栅对的双层MoS_2超导的调节 | 第76-78页 |
| 4.2.5 双层MoS_2超导与离子液体栅压的关系 | 第78-80页 |
| 4.3 单层MoS_2在高载流子浓度下的二维超导 | 第80-84页 |
| 4.4 单层和双层MoS_2超导性质的对比研究 | 第84-87页 |
| 4.5 离子液体实验测量后单层和双层MoS_2的表征 | 第87-89页 |
| 4.6 本章小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第五章 WSe_2和ReS_2的载流子调控与器件应用 | 第94-111页 |
| 5.1 Ta掺杂WSe_2及其异质结的研究 | 第94-103页 |
| 5.1.1 Ta掺杂WSe_2的制备与表征 | 第94-99页 |
| 5.1.2 Ta掺杂WSe_2的FET性质 | 第99-100页 |
| 5.1.3 基于Ta掺杂WSe_2的异质结及其光电响应 | 第100-103页 |
| 5.2 ReS_2的各向异性及其逻辑器件 | 第103-108页 |
| 5.2.1 ReS_2的各向异性 | 第103-107页 |
| 5.2.2 基于ReS_2各向异性FET的逻辑器件 | 第107-108页 |
| 5.3 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 第六章 结论与展望 | 第111-114页 |
| 6.1 结论 | 第111-113页 |
| 6.2 展望 | 第113-114页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
