摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
缩略语表 | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第10-25页 |
1 引言 | 第10页 |
2 介晶生长过程及机理 | 第10-12页 |
3 介晶半导体材料 | 第12-23页 |
3.1 TiO_2介晶的制备方法 | 第13-17页 |
3.1.1 拓扑转化法 | 第13-14页 |
3.1.2 模板法 | 第14-15页 |
3.1.3 反相乳液法 | 第15-16页 |
3.1.4 溶剂/水热法 | 第16-17页 |
3.2 TiO_2介晶的改性 | 第17-23页 |
3.2.1 TiO_2介晶的形貌调控 | 第18-19页 |
3.2.2 TiO_2介晶与其他材料复合 | 第19-21页 |
3.2.3 TiO_2介晶掺杂 | 第21-23页 |
4 选题依据及意义 | 第23-25页 |
第二章 合成锐钛矿TiO_2介晶:原位转化为多孔单晶,以及Ti~(3+) 自掺杂增强可见光催化氧化NO及还原Cr(Ⅵ) | 第25-47页 |
1 引言 | 第25-27页 |
2 实验部分 | 第27-31页 |
2.1 仪器与试剂 | 第27-28页 |
2.2 锐钛矿TiO_2介晶的合成 | 第28页 |
2.3 材料的表征 | 第28-29页 |
2.4 光催化实验 | 第29-31页 |
2.4.1 光催化移除NO | 第29-30页 |
2.4.2 光催化还原Cr(Ⅵ) | 第30-31页 |
2.5 光电化学实验 | 第31页 |
3 结果与讨论 | 第31-46页 |
3.1 形貌与结构表征 | 第31-44页 |
3.2 性能测试 | 第44-46页 |
3.2.1 氧化NO移除 | 第44-46页 |
3.2.2 还原Cr(Ⅵ) | 第46页 |
4 小结 | 第46-47页 |
第三章 g–C_3N_4改性Ti~(3+)自掺杂锐钛矿TiO_2介晶及其可见光催化性能测试 | 第47-64页 |
1 引言 | 第47-48页 |
2 实验部分 | 第48-51页 |
2.1 仪器与试剂 | 第48-49页 |
2.2 材料的合成 | 第49-50页 |
2.2.1 g–C_3N_4的合成 | 第49页 |
2.2.2 g–C_3N_4/STMCs复合材料的合成 | 第49-50页 |
2.3 材料的表征 | 第50页 |
2.4 光催化还原Cr(Ⅵ)实验 | 第50-51页 |
3 结果与讨论 | 第51-63页 |
3.1 形貌与结构表征 | 第51-59页 |
3.2 性能测试 | 第59-63页 |
3.2.1 氧化甲基橙(MO) | 第59-60页 |
3.2.2 还原Cr(Ⅵ) | 第60-62页 |
3.2.3 催化机理图 | 第62-63页 |
4 小结 | 第63-64页 |
结论与展望 | 第64-66页 |
1 结论 | 第64-65页 |
2 展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-76页 |
附录 | 第76-77页 |
致谢 | 第77页 |