硅基APD近红外敏感增强的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 APD 的发展概况 | 第9-12页 |
| 1.2.2 不同材料 APD 的性能特点 | 第12-13页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 SACM 结构理论基础 | 第14-26页 |
| 2.1 SACM 结构的倍增参数 | 第14-17页 |
| 2.2 费米能级 | 第17-19页 |
| 2.3 器件表面的反射和折射 | 第19-20页 |
| 2.4 光子的吸收 | 第20-24页 |
| 2.4.1 阴极层吸收探测过程 | 第22-23页 |
| 2.4.2 外延层吸收探测过程 | 第23-24页 |
| 2.4.3 基底处电子的探测过程 | 第24页 |
| 2.5 量子效率的计算 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 器件结构优化模拟 | 第26-40页 |
| 3.1 S 掺杂 SI 吸收特性改变的原因 | 第26-31页 |
| 3.1.1 S 掺杂 Si 的原子结构 | 第26-28页 |
| 3.1.2 S 掺杂 Si 费米能级的变化 | 第28-30页 |
| 3.1.3 S 掺杂 Si 能带结构的分析 | 第30-31页 |
| 3.2 不同施主杂质浓度对 P-N 结的影响 | 第31-35页 |
| 3.2.1 结构优化 | 第32-34页 |
| 3.2.2 雪崩击穿电压的模拟 | 第34-35页 |
| 3.3 APD 器件的有效面积 | 第35-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 探测效率的模拟 | 第40-52页 |
| 4.1 量子效率的计算 | 第40-44页 |
| 4.2 光子在 SI 中的吸收 | 第44-47页 |
| 4.3 量子效率的优化 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
