摘要 | 第9-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 研究背景和意义 | 第12-13页 |
1.2 忆阻器的定义 | 第13-16页 |
1.3 忆阻器的特性 | 第16-19页 |
1.3.1 理想忆阻器的特性 | 第16-17页 |
1.3.2 HP忆阻器的特性 | 第17-19页 |
1.4 相关问题的研究现状 | 第19-22页 |
1.4.1 忆阻器制备的研究现状 | 第19-20页 |
1.4.2 忆阻器电路模型的研究现状 | 第20-22页 |
1.5 论文研究内容及结构 | 第22-26页 |
1.5.1 论文研究内容 | 第22-23页 |
1.5.2 论文结构 | 第23-26页 |
第二章 现有磁控型忆阻器电路模型分析 | 第26-40页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 现有磁控型忆阻器电路模型介绍 | 第26-29页 |
2.3 现有磁控型忆阻器电路模型存在的问题 | 第29-35页 |
2.3.1 现有电路模型工作原理问题及仿真分析 | 第29-31页 |
2.3.2 现有电路模型电路设计问题及仿真分析 | 第31-35页 |
2.4 磁控型忆阻器可能的改进方向 | 第35-38页 |
2.4.1 模拟电路的改进方法分析 | 第35-37页 |
2.4.2 数字电路的改进方法分析 | 第37-38页 |
2.5 本章小结 | 第38-40页 |
第三章 一种改进的磁控型忆阻器电路模型及其硬件实现 | 第40-50页 |
3.1 引言 | 第40页 |
3.2 磁控型忆阻器电路模型改进方案 | 第40-42页 |
3.3 磁控型忆阻器电路模型硬件实现 | 第42-44页 |
3.4 改进的磁控型忆阻器电路模型性能分析 | 第44-48页 |
3.5 本章小结 | 第48-50页 |
第四章 基于磁控型忆阻器的MC振荡器设计 | 第50-60页 |
4.1 引言 | 第50-51页 |
4.2 基于忆阻器的MC振荡电路设计 | 第51-52页 |
4.3 一种忆阻器阻值的精确控制方法 | 第52-54页 |
4.4 仿真验证 | 第54-58页 |
4.5 本章小结 | 第58-60页 |
第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
5.1 本文工作总结 | 第60页 |
5.2 工作存在的不足以及下一步工作的计划 | 第60-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-66页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第66页 |