摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-34页 |
1.1 课题研究背景 | 第9页 |
1.2 拓扑绝缘体研究进展 | 第9-15页 |
1.2.1 拓扑绝缘体的发现 | 第9-15页 |
1.2.2 拓扑绝缘体的特性 | 第15页 |
1.3 碲化铋的结构及其性质 | 第15-18页 |
1.3.1 碲化铋的结构 | 第15-16页 |
1.3.2 碲化铋的性质 | 第16-17页 |
1.3.3 碲化铋晶体的制备工艺 | 第17-18页 |
1.4 碲化铋纳米线的制备方法与生长机理 | 第18-22页 |
1.4.1 碲化铋纳米线的制备方法 | 第19-21页 |
1.4.2 碲化铋纳米线的生长机理 | 第21-22页 |
1.5 国内外的研究进展 | 第22-24页 |
1.5.1 碲化铋的研究进展 | 第22-23页 |
1.5.2 分子动力学的研究进展 | 第23-24页 |
1.6 第一性原理简介 | 第24-25页 |
1.7 分子动力学 | 第25-32页 |
1.7.1 分子动力学方法简介 | 第25页 |
1.7.2 研究对象的确定 | 第25-26页 |
1.7.3 牛顿运动方程 | 第26页 |
1.7.4 有限差分方程 | 第26-27页 |
1.7.5 势函数 | 第27-29页 |
1.7.6 步长与时间 | 第29页 |
1.7.7 周期性边界条件和截断距离 | 第29-30页 |
1.7.8 分子模拟软件介绍及应用 | 第30-32页 |
1.8 本文的研究目的和研究内容 | 第32-34页 |
1.8.1 本论文研究目的 | 第32页 |
1.8.2 本论文研究内容 | 第32-34页 |
第2章 材料及测试方法 | 第34-38页 |
2.1 引言 | 第34页 |
2.2 实验原料 | 第34页 |
2.3 实验设备 | 第34-35页 |
2.4 碲化铋纳米材料的制备方法 | 第35-36页 |
2.4.1 原料的预处理 | 第35页 |
2.4.2 碲化铋纳米材料的制备 | 第35-36页 |
2.5 测试方法 | 第36-38页 |
2.5.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第37页 |
2.5.2 X-射线衍射(X-ray diffraetion, XRD) | 第37页 |
2.5.3 拉曼光谱(Raman spectra) | 第37-38页 |
第3章 碲化铋纳米材料的制备及形貌的研究 | 第38-46页 |
3.1 引言 | 第38页 |
3.2 物理气相沉积法制备碲化铋纳米材料形貌表征 | 第38-45页 |
3.2.1 XRD图谱 | 第38-39页 |
3.2.2 拉曼光谱分析 | 第39页 |
3.2.3 气相沉积的机理 | 第39-40页 |
3.2.4 温度对碲化铋纳米材料形貌的影响 | 第40-41页 |
3.2.5 气体流速对碲化铋纳米材料形貌的影响 | 第41-42页 |
3.2.6 基板种类对碲化铋纳米材料形貌的影响 | 第42-43页 |
3.2.7 沉积距离对碲化铋纳米材料形貌的影响 | 第43-45页 |
3.3 本章小结 | 第45-46页 |
第4章 碲化铋纳米材料的电子结构的模拟 | 第46-57页 |
4.1 引言 | 第46页 |
4.2 碲化铋晶胞的建立 | 第46-50页 |
4.3 第一性原理的计算 | 第50-51页 |
4.3.1 优化几何构型 | 第50页 |
4.3.2 参数的设置 | 第50-51页 |
4.4 能带的结构模拟 | 第51-52页 |
4.5 态密度结构模拟 | 第52-54页 |
4.6 掺杂一定浓度的Bi原子或Te原子对电子结构的影响 | 第54-56页 |
4.7 本章小结 | 第56-57页 |
第5章 碲化铋纳米片力学性质的模拟 | 第57-67页 |
5.1 引言 | 第57页 |
5.2 分子动力学模拟的操作流程 | 第57页 |
5.3 分子动力学模型的建立 | 第57-58页 |
5.4 初始构型的几何优化——结构弛豫 | 第58-59页 |
5.5 不同温度下材料力学性质的动力学模拟 | 第59-64页 |
5.6 不同温度下碲化铋纳米材料性能的分析 | 第64-66页 |
5.7 本章小结 | 第66-67页 |
结论 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
简历 | 第78页 |