硅基高κ介质阻变存储器的制备工艺与特性
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第8-20页 |
1.1 存储器件的主要类型和发展概况 | 第8-14页 |
1.2 阻变存储器的研究现状和存在问题 | 第14-19页 |
1.3 本论文的主要内容和安排 | 第19-20页 |
第二章 硅基高κ介质阻变存储器的制备工艺 | 第20-36页 |
2.1 阻变存储器的结构和工作原理 | 第20-22页 |
2.2 阻变存储器的制备工艺 | 第22-33页 |
2.3 阻变存储器制备中的相关问题 | 第33-34页 |
2.4 本章小结 | 第34-36页 |
第三章 硅基高κ介质阻变存储器的电学特性与模型 | 第36-52页 |
3.1 阻变存储器的电流-电压特性 | 第36-44页 |
3.2 阻变存储器的等效电阻模型 | 第44-45页 |
3.3 能带图的提出及其解释 | 第45-51页 |
3.4 本章小结 | 第51-52页 |
第四章 硅基高κ介质阻变存储器的噪声特性 | 第52-65页 |
4.1 阻变存储器的1/f噪声特性 | 第52-55页 |
4.2 阻变存储器的随机电报噪声特性 | 第55-63页 |
4.3 阻变存储器的噪声特性结果讨论 | 第63-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
5.1 论文总结 | 第65-66页 |
5.2 研究展望 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-80页 |
攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第80-81页 |
致谢 | 第81-82页 |