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硅基高κ介质阻变存储器的制备工艺与特性

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第8-20页
    1.1 存储器件的主要类型和发展概况第8-14页
    1.2 阻变存储器的研究现状和存在问题第14-19页
    1.3 本论文的主要内容和安排第19-20页
第二章 硅基高κ介质阻变存储器的制备工艺第20-36页
    2.1 阻变存储器的结构和工作原理第20-22页
    2.2 阻变存储器的制备工艺第22-33页
    2.3 阻变存储器制备中的相关问题第33-34页
    2.4 本章小结第34-36页
第三章 硅基高κ介质阻变存储器的电学特性与模型第36-52页
    3.1 阻变存储器的电流-电压特性第36-44页
    3.2 阻变存储器的等效电阻模型第44-45页
    3.3 能带图的提出及其解释第45-51页
    3.4 本章小结第51-52页
第四章 硅基高κ介质阻变存储器的噪声特性第52-65页
    4.1 阻变存储器的1/f噪声特性第52-55页
    4.2 阻变存储器的随机电报噪声特性第55-63页
    4.3 阻变存储器的噪声特性结果讨论第63-64页
    4.4 本章小结第64-65页
第五章 总结与展望第65-67页
    5.1 论文总结第65-66页
    5.2 研究展望第66-67页
参考文献第67-80页
攻读硕士学位期间的论文发表情况第80-81页
致谢第81-82页

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