摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第18-28页 |
1.1 太阳电池的研究背景及意义 | 第18-20页 |
1.2 Cu_2ZnSnS_4太阳电池的研究进展 | 第20-26页 |
1.2.1 Cu_2ZnSnS_4材料的物理化学性能 | 第20-21页 |
1.2.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备方法 | 第21-24页 |
1.2.3 Cu_2ZnSnS_4太阳电池的国内外研究进展 | 第24-26页 |
1.2.4 Cu_2ZnSnS_4太阳电池存在的问题 | 第26页 |
1.3 本论文的主要研究内容 | 第26-28页 |
第二章 实验方法和表征原理 | 第28-36页 |
2.1 实验试剂 | 第28-29页 |
2.2 实验仪器 | 第29页 |
2.3 微波液相合成法原理 | 第29-31页 |
2.4 磁控溅射法沉积Mo薄膜 | 第31-32页 |
2.5 化学浴法沉积CdS缓冲层 | 第32页 |
2.6 磁控溅射法沉积i-ZnO和AZO薄膜 | 第32-33页 |
2.7 表征方法与设备 | 第33-36页 |
第三章 二元及三元硫化物纳米颗粒的制备 | 第36-47页 |
3.1 前言 | 第36页 |
3.2 CuS、SnS、ZnS以及Cu_2SnS_3纳米颗粒的制备 | 第36-37页 |
3.3 二元硫化物纳米颗粒的物相结构与形貌分析 | 第37-41页 |
3.3.1 CuS纳米颗粒的物相结构与形貌分析 | 第37-38页 |
3.3.2 SnS纳米颗粒的物相结构与形貌分析 | 第38-40页 |
3.3.3 ZnS纳米颗粒的物相结构与形貌分析 | 第40-41页 |
3.4 Cu_2SnS_3纳米颗粒的合成与性能 | 第41-46页 |
3.4.1 硫脲作为硫源制备Cu_2SnS_3纳米颗粒 | 第41-42页 |
3.4.2 不同PVP添加量对Cu_2SnS_3纳米颗粒形貌的影响 | 第42-43页 |
3.4.3 L-半胱氨酸作为硫源制备Cu_2SnS_3纳米颗粒 | 第43-46页 |
3.5 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的制备和性能 | 第47-71页 |
4.1 前言 | 第47页 |
4.2 Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的制备 | 第47-48页 |
4.3 硫脲作为硫源制备Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒 | 第48-57页 |
4.3.1 单一相Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的制备 | 第48-50页 |
4.3.2 表面活性剂对Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的影响 | 第50-53页 |
4.3.3 反应时间对Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的影响 | 第53-57页 |
4.4 硫源对Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的影响 | 第57-62页 |
4.5 硫代乙酰胺作为硫源制备Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒 | 第62-69页 |
4.5.1 反应温度对Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的影响 | 第62-65页 |
4.5.2 Fe掺杂对Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒的影响 | 第65-69页 |
4.6 本章小结 | 第69-71页 |
第五章 Cu_2ZnSnS(Se)_4 薄膜的纳米墨水法制备和性能 | 第71-94页 |
5.1 前言 | 第71页 |
5.2 Cu_2ZnSnS(Se)_4 薄膜及其太阳电池的制备 | 第71-73页 |
5.2.1 Cu_2ZnSnS_4纳米墨水的制备 | 第71页 |
5.2.2 Cu_2ZnSnS_4与Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜的制备 | 第71-73页 |
5.2.3 Cu_2ZnSnS_4与Cu_2ZnSn(S,Se)_4 太阳电池的制备 | 第73页 |
5.3 硫化工艺对Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第73-81页 |
5.3.1 硫化温度对Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第73-76页 |
5.3.2 硫化时间对Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第76-79页 |
5.3.3 硫化气压对Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第79-81页 |
5.4 旋涂工艺对Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第81-84页 |
5.5 硒化工艺对Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第84-93页 |
5.5.1 硒化温度对Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第84-88页 |
5.5.2 硒化时间对Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第88-91页 |
5.5.3 升温速率对Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜及其太阳电池性能的影响 | 第91-93页 |
5.6 本章小结 | 第93-94页 |
第六章 Cu_2ZnSnS(Se)_4 薄膜的混合墨水法制备与性能 | 第94-113页 |
6.1 前言 | 第94页 |
6.2 不同墨水的制备 | 第94-95页 |
6.2.1 Cu_2ZnSnS_4纳米墨水的制备 | 第94页 |
6.2.2 分子溶胶的制备 | 第94-95页 |
6.2.3 混合墨水的制备 | 第95页 |
6.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜的多层墨水硫化法制备 | 第95-101页 |
6.3.1 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备 | 第95页 |
6.3.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜的结构与形貌分析 | 第95-98页 |
6.3.3 Cu_2ZnSnS_4/CdS异质结太阳电池 | 第98-101页 |
6.4 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜的多层墨水硒化法制备 | 第101-103页 |
6.4.1 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜的制备 | 第101页 |
6.4.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜的结构与形貌分析 | 第101-102页 |
6.4.3 Cu_2ZnSn(S,Se)_4/CdS异质结太阳电池 | 第102-103页 |
6.5 Cu_2ZnSnS_4薄膜混合墨水硫化法的制备 | 第103-106页 |
6.5.1 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备 | 第103-104页 |
6.5.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜的结构与形貌分析 | 第104-105页 |
6.5.3 Cu_2ZnSnS_4/CdS异质结太阳电池 | 第105-106页 |
6.6 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜混合墨水硒化法的制备 | 第106-111页 |
6.6.1 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜的制备 | 第106页 |
6.6.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜的结构与形貌分析 | 第106-108页 |
6.6.3 Cu_2ZnSn(S,Se)_4/CdS异质结太阳电池 | 第108-111页 |
6.7 本章小结 | 第111-113页 |
第七章 结论及展望 | 第113-116页 |
7.1 结论 | 第113-114页 |
7.2 主要创新点 | 第114-115页 |
7.3 展望 | 第115-116页 |
参考文献 | 第116-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第126-129页 |