| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 传统的非易失性存储器 | 第13-15页 |
| 1.3 新型非易失性存储器 | 第15-17页 |
| 1.3.1 铁电存储器 | 第15页 |
| 1.3.2 磁存储器 | 第15页 |
| 1.3.3 相变存储器 | 第15-16页 |
| 1.3.4 阻变存储器 | 第16-17页 |
| 1.4 RRAM概述 | 第17-34页 |
| 1.4.1 RRAM器件的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.4.2 RRAM的器件结构 | 第18-20页 |
| 1.4.3 RRAM的制备 | 第20-23页 |
| 1.4.4 RRAM的类型 | 第23-24页 |
| 1.4.5 RRAM器件的阻变机理 | 第24-29页 |
| 1.4.6 RRAM器件的性能指标 | 第29-30页 |
| 1.4.7 氧化锡基阻变薄膜 | 第30-34页 |
| 1.5 课题的选取 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第二章 实验设备与测试分析方法 | 第39-46页 |
| 2.1 实验设备 | 第39-41页 |
| 2.1.1 旋涂仪(Spin-coating) | 第39-40页 |
| 2.1.2 电子束蒸发 | 第40-41页 |
| 2.2 测试分析设备及方法 | 第41-45页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(Scanning Electron Mircoscope,SEM) | 第41-42页 |
| 2.2.3 X射线衍射(X-Ray Diffraction XRD) | 第42-43页 |
| 2.2.4 I-V测试系统 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 氧化锡薄膜的制备与测试分析 | 第46-59页 |
| 3.1 实验流程 | 第46-50页 |
| 3.1.1 氯化亚锡溶液的制备 | 第46-47页 |
| 3.1.2 ITO衬底的清洗 | 第47页 |
| 3.1.3 氧化锡薄膜阻变层的制备 | 第47-49页 |
| 3.1.4 电极蒸镀 | 第49-50页 |
| 3.2 对氧化锡薄膜阻变存储器特性的各项测试分析 | 第50-58页 |
| 3.2.1 氧化锡薄膜的形貌分析与厚度分析 | 第50-52页 |
| 3.2.2 氧化锡薄膜阻变特性的测试 | 第52-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 氧化锡薄膜阻变存储器的改善方法 | 第59-69页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 改善旋涂后的退火工艺 | 第59-65页 |
| 4.3 掺杂法改善氧化锡薄膜的阻变特性 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第69-70页 |
| 5.2 未来工作的展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附件 | 第72页 |