| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 微波铁氧体材料 | 第11-15页 |
| 1.2.1 微波铁氧体材料的分类 | 第11-12页 |
| 1.2.2 YIG的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 YIG的主要性能指标 | 第13页 |
| 1.2.4 YIG的发展与研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 YIG材料的制备工艺 | 第15-16页 |
| 1.3.1 YIG块材的制备工艺 | 第15页 |
| 1.3.2 YIG薄膜的制备工艺 | 第15-16页 |
| 1.4 PLD技术简介与YIG薄膜表征技术 | 第16-20页 |
| 1.4.1 PLD技术 | 第16-18页 |
| 1.4.2 实验所用仪器 | 第18-19页 |
| 1.4.3 YIG薄膜表征技术 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文主要工作及内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 两步烧结法制备YIG块材 | 第22-32页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 两步烧结法制备YIG块材的工艺流程 | 第23-24页 |
| 2.3 预烧后样品XRD测试结果 | 第24-25页 |
| 2.4 一步烧结样品的结果分析 | 第25-26页 |
| 2.5 两步烧结样品的结果分析 | 第26-31页 |
| 2.5.1 两步烧结法对YIG块材致密性和晶粒尺寸的影响。 | 第26-29页 |
| 2.5.2 两步烧结法对YIG块材内部微观结构的影响 | 第29-30页 |
| 2.5.3 两步烧结法对YIG块材磁性的影响 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 连续沉积法制备微米级YIG薄膜以及退火条件探究 | 第32-45页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 PLD法制备微米级YIG薄膜的工艺流程 | 第32-35页 |
| 3.2.1 基片选择 | 第32-33页 |
| 3.2.2 基片清洗 | 第33-34页 |
| 3.2.3 基片与靶材的安装 | 第34页 |
| 3.2.4 系统抽真空 | 第34页 |
| 3.2.5 制备薄膜 | 第34-35页 |
| 3.2.6 退火 | 第35页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第35-43页 |
| 3.3.1 不同退火温度对不同厚度薄膜表面裂纹的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 退火温度与GGG基片上YIG薄膜性能的关系 | 第37-40页 |
| 3.3.3 连续沉积法制备的厚度最大的薄膜性能测试 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 间断沉积法制备微米级YIG薄膜 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 间断沉积法（1+3+3+3…模式）制备微米级 YIG 薄膜 | 第45-52页 |
| 4.2.1 实验流程 | 第45-46页 |
| 4.2.2 间断沉积法对YIG薄膜表面形貌的影响 | 第46-48页 |
| 4.2.3 间断沉积法对YIG薄膜取向性以及结晶性的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.4 间断沉积法对YIG薄膜磁性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.3 间断沉积法（1+1+1+1…模式）制备微米级 YIG 薄膜 | 第52-58页 |
| 4.3.1 实验流程 | 第52页 |
| 4.3.2 间断沉积法对YIG薄膜表面形貌的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.3 间断沉积法对YIG薄膜取向性以及结晶性的影响 | 第54-57页 |
| 4.3.4 间断沉积法对YIG薄膜磁性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 附录 | 第68页 |
