| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 CIGS薄膜太阳电池 | 第13-18页 |
| 1.2.1 CIGS薄膜太阳电池的发展历史 | 第13-15页 |
| 1.2.2 CIGS薄膜的性质 | 第15-16页 |
| 1.2.3 CIGS薄膜太阳电池的结构 | 第16-18页 |
| 1.3 本论文的研究意义及主要内容 | 第18-19页 |
| 第2章 材料的制备和表征方法 | 第19-33页 |
| 2.1 材料制备方法及原理 | 第19-25页 |
| 2.1.1 直流磁控溅射系统制备Mo背电极 | 第19-20页 |
| 2.1.2 多源共蒸发系统制备CIGS吸收层 | 第20-22页 |
| 2.1.3 水浴法沉积CdS缓冲层 | 第22-23页 |
| 2.1.4 射频磁控溅射沉积i-ZnO、ITO窗口层 | 第23-24页 |
| 2.1.5 热蒸发设备制备Al电极 | 第24-25页 |
| 2.2 材料测试方法及原理 | 第25-33页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第25页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第25-26页 |
| 2.2.3 拉曼光谱仪(Raman) | 第26-27页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| 2.2.5 X射线荧光光谱仪(X-Ray Fluorescence, XRF) | 第27-28页 |
| 2.2.6 IV测试 | 第28-30页 |
| 2.2.7 量子效率测试仪(QE) | 第30-31页 |
| 2.2.8 二极管特性分析 | 第31-33页 |
| 第3章 硒的蒸汽压对CIGS薄膜太阳电池吸收层及器件的影响 | 第33-44页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第33页 |
| 3.2 实验内容 | 第33-34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-43页 |
| 3.3.1 Se蒸汽压对薄膜沉积厚度的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 Se蒸汽压对薄膜组分的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.3 Se蒸汽压对CIGS晶粒大小的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.4 XRD及Raman测试 | 第38-40页 |
| 3.3.5 Se蒸汽压对CIGS薄膜太阳电池器件性能的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 K掺杂对CIGS薄膜太阳电池吸收层及器件的影响 | 第44-68页 |
| 4.1 碱金属掺杂对CIGS薄膜太阳电池研究进展 | 第44-45页 |
| 4.2 KF的不同蒸发温度对电池影响的探究 | 第45-54页 |
| 4.2.1 XRF测试结果 | 第46-47页 |
| 4.2.2 Raman及XRD测试结果 | 第47-48页 |
| 4.2.3 SEM测试结果 | 第48-49页 |
| 4.2.4 IV测试结果 | 第49-50页 |
| 4.2.5 二极管特性分析 | 第50-51页 |
| 4.2.6 C-V测试分析 | 第51-54页 |
| 4.3 KF沉积的衬底温度对CIGS薄膜太阳电池影响的探究 | 第54-60页 |
| 4.3.1 XRF测试结果 | 第54-55页 |
| 4.3.2 Raman及XRD测试结果 | 第55-57页 |
| 4.3.3 SEM测试结果 | 第57页 |
| 4.3.4 IV测试结果 | 第57-58页 |
| 4.3.5 二极管特性分析 | 第58-59页 |
| 4.3.6 C-V测试分析 | 第59-60页 |
| 4.4 KF沉积时间对CIGS薄膜太阳电池影响的探究 | 第60-67页 |
| 4.4.1 SIMS 测试结果 | 第60-61页 |
| 4.4.2 Raman 及 XRD 测试结果 | 第61-63页 |
| 4.4.3 IV测试结果 | 第63-64页 |
| 4.4.4 二极管特性分析 | 第64-65页 |
| 4.4.5 C-V测试分析 | 第65-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 结束语 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75页 |
