| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 侧向光伏效应 | 第11-19页 |
| 1.2.1 侧向光伏效应概述 | 第11-12页 |
| 1.2.2 侧向光伏效应研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.3 侧向光伏理论研究进展 | 第14-19页 |
| 1.2.3.1 p-n结中的侧向光伏效应 | 第15-16页 |
| 1.2.3.2 金属-半导体结构中的侧向光伏效应 | 第16-17页 |
| 1.2.3.3 侧向光伏效应中的Dember效应 | 第17-18页 |
| 1.2.3.4 侧向光伏效应中的热效应影响 | 第18-19页 |
| 1.2.4 侧向光伏效应的应用 | 第19页 |
| 1.3 SnSe、MoSe_2、WSe_2简介 | 第19-22页 |
| 1.3.1 Sn Se简介 | 第19-21页 |
| 1.3.2 MoSe_2简介 | 第21页 |
| 1.3.3 WSe_2简介 | 第21-22页 |
| 1.4 激光脉冲沉积技术简介 | 第22-23页 |
| 1.4.1 PLD系统简介 | 第22页 |
| 1.4.2 PLD工作原理 | 第22-23页 |
| 1.5 本论文研究内容及研究目的 | 第23-25页 |
| 1.5.1 主要研究内容 | 第23-24页 |
| 1.5.2 研究目的 | 第24-25页 |
| 第2章 SnSe的制备及其异质结的侧向光伏性质研究 | 第25-36页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2.SnSe制备、薄膜生长及表征 | 第26-27页 |
| 2.3.Sn Se/p-Si异质结的电学性质及侧向光伏性质测试 | 第27-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 MoSe_2制备及其异质结侧向光伏性质研究 | 第36-49页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 MoSe_2制备、薄膜生长及表征 | 第36-37页 |
| 3.3.MoSe_2 /Si异质结的电学性质及侧向光伏性质测试 | 第37-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 WSe_2制备及其异质结侧向光伏性质研究 | 第49-60页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 WSe_2制备、薄膜生长及表征 | 第49-50页 |
| 4.3.WSe_2/Si异质结的电学性质及侧向光伏性质测试 | 第50-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
