| 摘要 | 第7-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-45页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 忆阻随机存储器(RRAM) | 第14-22页 |
| 1.2.1 忆阻器的简介 | 第14-16页 |
| 1.2.2 忆阻器的分类 | 第16-22页 |
| 1.3 忆阻器的存储机制 | 第22-29页 |
| 1.3.1 导电细丝(Conductive filament)理论 | 第23-25页 |
| 1.3.2 热化学反应机制 | 第25-27页 |
| 1.3.3 与界面相关的阻变机制 | 第27-28页 |
| 1.3.4 极化反转机制 | 第28-29页 |
| 1.4 国内外忆阻器的研究进展 | 第29-42页 |
| 1.4.1 忆阻器的发展概况 | 第29-30页 |
| 1.4.2 忆阻(M)变量的推导 | 第30-31页 |
| 1.4.3 一些重要发现 | 第31-35页 |
| 1.4.4 光控忆阻器的发现 | 第35-36页 |
| 1.4.5 生物忆阻器的发展与应用 | 第36-42页 |
| 1.5 目前研究与应用的挑战 | 第42页 |
| 1.6 立题的研究意义和内容 | 第42-45页 |
| 1.6.1 研究的意义 | 第42-43页 |
| 1.6.2 研究的内容 | 第43-45页 |
| 第二章 忆阻器件的制备和电学性能表征 | 第45-55页 |
| 2.1 金属氧化物纳米结构的制备 | 第45-48页 |
| 2.1.1 水热合成法 | 第45-47页 |
| 2.1.2 溅射法 | 第47页 |
| 2.1.3 溶胶-凝胶法 | 第47-48页 |
| 2.2 材料的多铁性测试 | 第48-50页 |
| 2.2.1 材料的磁性测试 | 第48-49页 |
| 2.2.2 材料的铁电性测试 | 第49-50页 |
| 2.3 器件的电极制备 | 第50-51页 |
| 2.4 器件的电学性能测试 | 第51-55页 |
| 2.4.1 Keithley 2400直流源表 | 第51页 |
| 2.4.2 电化学工作站 | 第51-52页 |
| 2.4.3 探针测试台 | 第52-55页 |
| 第三章 多铁性的MnWO_4纳米线的忆阻效应 | 第55-69页 |
| 3.1 引言 | 第55-57页 |
| 3.2 实验过程 | 第57-58页 |
| 3.2.1 材料的制备 | 第57页 |
| 3.2.2 材料的表征 | 第57页 |
| 3.2.3 器件的电极制备和测试 | 第57-58页 |
| 3.3 结果讨论和机理分析 | 第58-67页 |
| 3.3.1 材料的表征结果 | 第58-60页 |
| 3.3.2 器件的表征结果 | 第60-64页 |
| 3.3.3 忆阻效应的机理分析 | 第64-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 多铁性的FeWO_4纳米线阵列的忆阻效应 | 第69-77页 |
| 4.1 引言 | 第69-70页 |
| 4.2 实验部分 | 第70-71页 |
| 4.2.1 FeWO_4纳米线阵列的制备 | 第70页 |
| 4.2.2 材料的表征 | 第70-71页 |
| 4.2.3 器件电极的制备和测试 | 第71页 |
| 4.3 结果分析和机理讨论 | 第71-76页 |
| 4.3.1 材料的表征结果 | 第71-73页 |
| 4.3.2 器件的测试 | 第73-74页 |
| 4.3.3 忆阻效应的机理分析 | 第74-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 多铁性的BiMnO_3纳米线阵列的光控忆阻效应 | 第77-89页 |
| 5.1 引言 | 第77-79页 |
| 5.2 实验过程 | 第79-80页 |
| 5.2.1 材料的制备 | 第79页 |
| 5.2.2 材料的表征 | 第79页 |
| 5.2.3 忆阻器件的记忆特性测试 | 第79-80页 |
| 5.3 实验结果与存储机理分析 | 第80-88页 |
| 5.3.1 材料的表征结果 | 第80-82页 |
| 5.3.2 材料的多铁性测试 | 第82-84页 |
| 5.3.3 器件的表征 | 第84-87页 |
| 5.3.4 忆阻效应的机理讨论 | 第87-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 光-电同步控制的BiFeO_3膜的忆阻效应与铁电存储及其柔性高性能多态记忆器件 | 第89-105页 |
| 6.1 引言 | 第89-90页 |
| 6.2 实验过程 | 第90-92页 |
| 6.2.1 器件的制备 | 第90-91页 |
| 6.2.2 材料的表征 | 第91-92页 |
| 6.2.3 器件的性能测试 | 第92页 |
| 6.3 实验数据讨论与开关机理分析 | 第92-103页 |
| 6.3.1 材料的表征结果 | 第92-93页 |
| 6.3.2 器件的性能表征 | 第93-101页 |
| 6.3.3 忆阻效应的机理讨论 | 第101-103页 |
| 6.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 第七章 结论和展望 | 第105-109页 |
| 7.1 主要结论 | 第105页 |
| 7.2 今后的工作展望 | 第105-109页 |
| 参考文献 | 第109-135页 |
| 硕博连读期间所取得的部分成果和荣誉 | 第135-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
