| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题来源及研究意义 | 第9页 |
| 1.2 SRAM国内外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.3 课题的研究内容 | 第12页 |
| 1.4 论文主要结构 | 第12-13页 |
| 第2章 SRAM的基本结构和工作原理 | 第13-25页 |
| 2.1 存储器分类 | 第13页 |
| 2.2 SRAM的总体结构 | 第13-14页 |
| 2.3 SRAM的工作原理 | 第14-17页 |
| 2.4 SRAM典型存储单元结构 | 第17-24页 |
| 2.4.1 四管单元电路 | 第18页 |
| 2.4.2 五管单元电路 | 第18-19页 |
| 2.4.3 七管单元电路 | 第19-20页 |
| 2.4.4 八管单元电路 | 第20-21页 |
| 2.4.5 九管单元电路 | 第21页 |
| 2.4.6 十管单元电路 | 第21-22页 |
| 2.4.7 十一管单元电路 | 第22-23页 |
| 2.4.8 十二管单元电路 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 SOI技术及其应用 | 第25-35页 |
| 3.1 SOI技术背景 | 第25-26页 |
| 3.2 SOI制备工艺 | 第26-29页 |
| 3.2.1 注氧隔离的SIMOX技术 | 第26-27页 |
| 3.2.2 键合再减薄的BESOI技术 | 第27页 |
| 3.2.3 Smart Cut技术和ELTRAN技术 | 第27-29页 |
| 3.3 SOI工艺技术研究和发展方向 | 第29-30页 |
| 3.3.1 改变SOI材料的基底 | 第29页 |
| 3.3.2 改变SOI结构的绝缘埋层材料 | 第29-30页 |
| 3.3.3 改变SOI结构的半导体材料 | 第30页 |
| 3.4 SOI器件类型及应用 | 第30-34页 |
| 3.4.1 SOI技术器件类型 | 第31-32页 |
| 3.4.2 SOI器件的应用 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 SOI SRAM设计 | 第35-51页 |
| 4.1 SOI SRAM的总体结构 | 第35-36页 |
| 4.2 SOI SRAM单元设计 | 第36-37页 |
| 4.3 译码电路 | 第37-41页 |
| 4.3.1 地址分配 | 第38-39页 |
| 4.3.2 行译码 | 第39-41页 |
| 4.3.3 列译码 | 第41页 |
| 4.4 灵敏放大电路 | 第41-42页 |
| 4.5 预充电路 | 第42-43页 |
| 4.6 ATD电路 | 第43-45页 |
| 4.7 ESD保护电路 | 第45-46页 |
| 4.8 版图设计 | 第46-49页 |
| 4.8.1 版图的布局 | 第47页 |
| 4.8.2 版图的设计 | 第47-49页 |
| 4.8.3 版图的验证 | 第49页 |
| 4.9 本章小结 | 第49-51页 |
| 第5章 SOI SRAM的总体仿真及验证 | 第51-61页 |
| 5.1 总体仿真 | 第51-58页 |
| 5.1.1 关键路径的选取 | 第51-52页 |
| 5.1.2 仿真激励 | 第52-54页 |
| 5.1.3 仿真结果 | 第54-58页 |
| 5.2 流片验证及测试结果 | 第58-60页 |
| 5.3 ESD水平及抗辐照验证 | 第60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第69页 |