| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 半导体量子点的概念 | 第9-11页 |
| 1.2 半导体量子点的基本特性 | 第11-14页 |
| 1.2.1 量子尺寸效应 | 第11页 |
| 1.2.2 表面效应 | 第11-13页 |
| 1.2.3 宏观量子隧道效应 | 第13页 |
| 1.2.4 库仑阻塞效应 | 第13-14页 |
| 1.2.5 介电限域效应 | 第14页 |
| 1.3 半导体量子点的发光原理及发光特性 | 第14-16页 |
| 1.3.1 半导体量子点的发光原理 | 第14-15页 |
| 1.3.2 半导体量子点的发光特性 | 第15-16页 |
| 1.4 半导体量子点的研究意义 | 第16-22页 |
| 1.4.1 半导体量子点的研究发展史 | 第16-18页 |
| 1.4.2 半导体量子点的应用 | 第18-22页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 大尺寸CdSe/CdS核壳结构量子点的合成及表征 | 第23-37页 |
| 2.1 半导体量子点合成所用试剂和装置 | 第23-24页 |
| 2.2 CdSe量子点的合成 | 第24-26页 |
| 2.2.1 硒前驱体的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.2 变尺寸CdSe量子点的合成 | 第25-26页 |
| 2.3 CdSe/CdS核壳结构量子点的合成方案 | 第26-29页 |
| 2.4 大尺寸CdSe/CdS核壳结构量子点的合成 | 第29-30页 |
| 2.4.1 前驱体的制备 | 第29页 |
| 2.4.2 直径约4 nm CdSe核量子点的合成 | 第29页 |
| 2.4.3 大尺寸CdSe/CdS核壳结构量子点的合成 | 第29-30页 |
| 2.5 大尺寸CdSe/CdS核壳结构量子点的微结构性质 | 第30-34页 |
| 2.5.1 TEM测量 | 第30-32页 |
| 2.5.2 XRD测量 | 第32-34页 |
| 2.6 大尺寸CdSe/CdS核壳结构量子点的光学性质 | 第34-36页 |
| 2.6.1 稳态光谱测量 | 第34-35页 |
| 2.6.2 瞬态光谱测量 | 第35页 |
| 2.6.3 荧光闪烁曲线测量 | 第35-36页 |
| 2.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 CdSe/CdS核壳结构量子点的电化学性质研究 | 第37-48页 |
| 3.1 循环伏安体系的配置 | 第38-39页 |
| 3.2 循环伏安法的原理 | 第39-41页 |
| 3.2.1 循环伏安法的反应原理 | 第39页 |
| 3.2.2 循环伏安体系的可逆性 | 第39-40页 |
| 3.2.3 循环伏安法测量HOMO和LUMO的原理 | 第40-41页 |
| 3.3 循环伏安法的测量实验 | 第41-42页 |
| 3.4 变尺寸CdSe量子点的电化学性质 | 第42-45页 |
| 3.4.1 可逆性分析 | 第42-43页 |
| 3.4.2 变尺寸CdSe量子点的循环伏安曲线 | 第43-45页 |
| 3.5 CdSe/CdS核壳结构量子点的电化学性质 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于量子限制斯塔克效应的量子点电光调制器件的初步研究 | 第48-57页 |
| 4.1 半导体量子点的量子限制斯塔克效应 | 第48-50页 |
| 4.2 纯纤锌矿相CdSe/CdS核壳结构量子点的合成 | 第50-52页 |
| 4.3 纯纤锌矿相CdSe/CdS核壳结构量子点的微结构性质 | 第52-53页 |
| 4.3.1 TEM测量 | 第52-53页 |
| 4.3.2 XRD测量 | 第53页 |
| 4.4 纯纤锌矿相CdSe/CdS核壳结构量子点的光学性质 | 第53-55页 |
| 4.4.1 稳态光谱测量 | 第53-54页 |
| 4.4.2 瞬态光谱测量 | 第54页 |
| 4.4.3 荧光闪烁曲线测量 | 第54-55页 |
| 4.5 电极的制备 | 第55-56页 |
| 4.6 实验测量 | 第56页 |
| 4.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 5.1 总结 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
