| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第9-21页 |
| 1.1 拓扑绝缘体简介 | 第9-11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体材料的研究 | 第11-16页 |
| 1.2.1 Bi_2Se_3材料 | 第11-14页 |
| 1.2.2 超薄Bi(111)薄膜 | 第14-16页 |
| 1.3 (Bi_2Se_3)_m(Bi_2)_n系列材料的研究进展 | 第16-19页 |
| 1.4 本文的研究目的和主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 基本理论及QUANTUM-ESPRESSO程序包简介 | 第21-30页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第21页 |
| 2.2 绝热近似 | 第21-22页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第22-27页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第24-26页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第26-27页 |
| 2.4 密度泛函微扰理论 | 第27-28页 |
| 2.5 自旋轨道耦合效应 | 第28-29页 |
| 2.6 QUANTUM-ESPRESSO程序包简介 | 第29-30页 |
| 第三章 (Bi_2Se_3)_m(Bi_2)_n系列材料体内晶格动力学研究 | 第30-44页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 计算参数的选择 | 第30页 |
| 3.3 几何结构 | 第30-32页 |
| 3.4 电子结构 | 第32-33页 |
| 3.5 晶格动力学研究 | 第33-43页 |
| 3.5.1 Γ点振动模研究 | 第33-37页 |
| 3.5.2 声子色散谱和声子态密度 | 第37-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 (Bi_2Se_3)_m(Bi_2)_n系列材料的拓扑表面态研究 | 第44-52页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 计算参数的选择 | 第44页 |
| 4.3 Bi_4Se_3薄膜的研究 | 第44-48页 |
| 4.3.1 几何结构 | 第44-45页 |
| 4.3.2 电子结构 | 第45-48页 |
| 4.4 BiSe薄膜的研究 | 第48-50页 |
| 4.4.1 几何结构 | 第48-49页 |
| 4.4.2 电子结构 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结和展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 硕士期间发表和完成论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
