| 摘要 | 第9-12页 |
| Abstract | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-29页 |
| §1.1 引言 | 第15-18页 |
| §1.2 低维半导体材料的定义及其基本电学特性 | 第18-21页 |
| §1.3 低维半导体材料的可控制备 | 第21-24页 |
| §1.4 基于低维半导体材料场效应晶体管的制备及主要电学参数 | 第24-27页 |
| §1.5 本论文研究工作的侧重点 | 第27-29页 |
| 第二章 基于一维氧化铟纳米线增强型场效应晶体管的研制 | 第29-47页 |
| §2.1 研究背景 | 第29-32页 |
| §2.1.1 半导体纳米线在场效应晶体管中的应用分析 | 第29-30页 |
| §2.1.2 氧化铟纳米线简介 | 第30-31页 |
| §2.1.3 基于半导体纳米线增强型场效应晶体管的实现途径 | 第31-32页 |
| §2.2 氧化铟纳米线掺杂研究 | 第32-34页 |
| §2.2.1 氧化铟纳米线的掺杂生长 | 第32-33页 |
| §2.2.2 掺杂氧化铟纳米线的表征 | 第33-34页 |
| §2.3 氧化铟纳米线场效应晶体管的制备工艺 | 第34-36页 |
| §2.4 掺杂对氧化铟纳米线场效应晶体管的性能影响分析 | 第36-40页 |
| §2.4.1 器件结构及电极接触质量分析 | 第36-37页 |
| §2.4.2 掺Mg浓度对器件阈值电压及其它电学性能的影响 | 第37-39页 |
| §2.4.3 Al、Ga的掺入对比分析 | 第39-40页 |
| §2.5 沟道长度对器件电学性能的影响 | 第40-41页 |
| §2.6 掺杂氧化铟纳米线在薄膜晶体管中的应用 | 第41-46页 |
| §2.6.1 薄膜晶体管简介 | 第41-43页 |
| §2.6.2 半导体纳米线在薄膜晶体管中的应用分析 | 第43页 |
| §2.6.3 常见纳米线薄膜制备技术 | 第43-45页 |
| §2.6.4 基于氧化铟纳米线薄膜晶体管的制备及电学性能分析 | 第45-46页 |
| §2.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 基于氧化铟纳米线高性能“锁钥式”气敏传感器的研制 | 第47-59页 |
| §3.1 研究背景 | 第47-49页 |
| §3.1.1 气敏传感器原理及应用 | 第47-48页 |
| §3.1.2 气敏传感器相关参数 | 第48页 |
| §3.1.3 氧化物纳米材料在气敏传感器中的应用及面临的问题 | 第48-49页 |
| §3.2 理想“锁钥式”气敏传感器的设计 | 第49-52页 |
| §3.2.1 设计理念介绍 | 第49-50页 |
| §3.2.2 传感器平台的构建 | 第50-52页 |
| §3.3 基于氧化铟纳米线“锁钥式”气敏传感器的制备 | 第52-53页 |
| §3.4 基于氧化铟纳米线气敏传感器的性能表征 | 第53-57页 |
| §3.4.1 贵金属颗粒的表面修饰对纳米线器件的影响 | 第53-54页 |
| §3.4.2 气敏传感器在选择性方面的表现 | 第54-56页 |
| §3.4.3 气敏传感器在灵敏度、稳定性等方面的表现 | 第56-57页 |
| §3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 通过界面设计研制高性能硫化钼顶栅晶体管 | 第59-75页 |
| §4.1 研究背景 | 第59-63页 |
| §4.1.1 纳米CMOS器件的栅结构问题 | 第59-60页 |
| §4.1.2 高k介质材料在CMOS器件中的应用 | 第60-61页 |
| §4.1.3 硫化钼简介 | 第61-62页 |
| §4.1.4 硫化钼场效应晶体管的栅结构问题 | 第62-63页 |
| §4.2 硫化钼顶栅介质层的设计及形貌表征 | 第63-66页 |
| §4.3 硫化钼顶栅场效应晶体管的制备及栅介质的介电特性 | 第66-69页 |
| §4.4 金属氧化物缓冲层种类对硫化钼器件电学性能的影响 | 第69-72页 |
| §4.5 高性能硫化钼顶栅晶体管的研制及其逻辑应用研究 | 第72-74页 |
| §4.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 针对二维场效应晶体管的理想电介质设计 | 第75-94页 |
| §5.1 研究背景 | 第75-76页 |
| §5.2 利用h-BN/HfO_2异质结构构建理想电介质 | 第76-81页 |
| §5.2.1 电介质设计理念 | 第76-77页 |
| §5.2.2 CVD h-BN的制备及表征 | 第77-79页 |
| §5.2.3 h-BN/HfO_2介质层的形貌表征及介电性质 | 第79-81页 |
| §5.3 h-BN/HfO_2电介质在MoS_2顶栅晶体管中的应用 | 第81-85页 |
| §5.3.1 MoS_2顶栅晶体管的制备 | 第81-83页 |
| §5.3.2 h-BN/HfO_2电介质对MoS_2器件电学性能的影响 | 第83-84页 |
| §5.3.3 MoS_2顶栅器件本征迁移率的提取 | 第84-85页 |
| §5.4 h-BN/HfO_2电介质在Graphene顶栅晶体管中的应用 | 第85-88页 |
| §5.4.1 Graphene器件接触电阻的提取 | 第85-86页 |
| §5.4.2 h-BN/HfO_2电介质对Graphene器件电学性能的影响 | 第86-88页 |
| §5.5 h-BN/HfO_2电介质在GaN HEMTs器件中的应用 | 第88-93页 |
| §5.5.1 GaN MOS-HEMTs器件简介 | 第88-89页 |
| §5.5.2 GaN MOS-HEMTs器件的制备 | 第89-90页 |
| §5.5.3 不同栅结构对GaN HEMTs器件性能的影响 | 第90-92页 |
| §5.5.4 GaN HEMTs器件界面陷阱密度的提取 | 第92-93页 |
| §5.6 本章小结 | 第93-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-97页 |
| §6.1 主要研究成果与结论 | 第94-96页 |
| §6.2 后续工作及展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-109页 |
| 攻读博士期间完成的工作 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
