| 学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 VO_2薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 VO_2的基本性质 | 第14-21页 |
| 1.3.1 VO_2的晶体结构 | 第14-19页 |
| 1.3.2 VO_2能带结构 | 第19页 |
| 1.3.3 VO_2的电学性能 | 第19-20页 |
| 1.3.4 VO_2的光学性能 | 第20-21页 |
| 1.4 VO_2薄膜的制备方法 | 第21-24页 |
| 1.4.1 真空蒸镀法 | 第21-22页 |
| 1.4.2 溅射法 | 第22-23页 |
| 1.4.3 化学气相沉积法 | 第23页 |
| 1.4.4 溶胶凝胶法 | 第23-24页 |
| 1.5 离子掺杂改性VO_2薄膜 | 第24-25页 |
| 1.6 VO_2薄膜的应用 | 第25-27页 |
| 1.6.1 智能窗的应用 | 第26页 |
| 1.6.2 电学和光学转换开关 | 第26页 |
| 1.6.3 光存储材料 | 第26页 |
| 1.6.4 红外激光保护膜 | 第26页 |
| 1.6.5 热敏电阻 | 第26-27页 |
| 1.7 热致变色VO_2薄膜存在的问题 | 第27-28页 |
| 1.7.1 前驱体的选择 | 第27页 |
| 1.7.2 制备VO_2薄膜工艺的选择 | 第27-28页 |
| 1.8 本课题的研究内容、意义、目的及方案 | 第28-30页 |
| 1.8.1 本课题研究内容、意义及目的 | 第28-29页 |
| 1.8.2 本课题的主要研究方案 | 第29页 |
| 1.8.3 本课题的创新点 | 第29-30页 |
| 第二章 实验原理及表征技术 | 第30-36页 |
| 2.1 实验主要的试剂和设备 | 第30-31页 |
| 2.1.1 实验主要试剂 | 第30页 |
| 2.1.2 实验主要设备 | 第30-31页 |
| 2.2 实验原理 | 第31-33页 |
| 2.2.1 V_2O_5制备VO_2薄膜的原理 | 第31-33页 |
| 2.2.2 VO(acac)O_2制备Zr~(4+)掺杂VO_2薄膜的原理 | 第33页 |
| 2.3 样品的表征设备的介绍 | 第33-36页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第33-34页 |
| 2.3.2 场发射扫描电子显微镜及元素分析 | 第34页 |
| 2.3.3 差示扫描量热仪 | 第34页 |
| 2.3.4 同步热分析仪 | 第34-35页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 | 第35页 |
| 2.3.6 紫外-可见光-近红外分光光度计 | 第35-36页 |
| 第三章 热处理工艺对氧化钒薄膜组织与性能的影响 | 第36-48页 |
| 3.1 研究背景 | 第36-37页 |
| 3.2 实验部分 | 第37-38页 |
| 3.2.1 合成氧化钒薄膜 | 第37-38页 |
| 3.2.2 氧化钒薄膜的表征 | 第38页 |
| 3.3 实验结果分析与讨论 | 第38-47页 |
| 3.3.1 确定V_2O_5薄膜的烧结温度 | 第38-40页 |
| 3.3.2 退火工艺对氧化钒薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.3 退火工艺对氧化钒薄膜表面形貌的影响 | 第42页 |
| 3.3.4 退火工艺对氧化钒薄膜价态的影响 | 第42-46页 |
| 3.3.5 VO_2 (M)的相变温度和光学性质 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 Zr~(4+)掺杂浓度对VO_2薄膜的组织与性能的影响 | 第48-58页 |
| 4.1 研究背景 | 第48-49页 |
| 4.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 4.2.1 Zr~(4+)掺杂VO_2薄膜的制备 | 第49-50页 |
| 4.2.2 Zr~(4+)掺杂VO_2薄膜的表征方法 | 第50页 |
| 4.3 实验结果分析与讨论 | 第50-55页 |
| 4.3.1 Zr~(4+)掺杂对VO_2薄膜的结构影响 | 第50-51页 |
| 4.3.2 Zr~(4+)掺杂对VO_2薄膜表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.3 Zr~(4+)掺杂对VO_2薄膜的热致变色性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.4 Zr~(4+)掺杂对VO_2薄膜的光学性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
