| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-44页 |
| 1.1 太赫兹技术简介 | 第12-21页 |
| 1.1.1 太赫兹波概念 | 第12-13页 |
| 1.1.2 太赫兹技术的应用领域 | 第13-16页 |
| 1.1.3 太赫兹功能器件 | 第16-20页 |
| 1.1.4 太赫兹技术发展所面临的问题 | 第20-21页 |
| 1.2 超材料介绍 | 第21-31页 |
| 1.2.1 超材料概念 | 第21-23页 |
| 1.2.2 超材料的电磁特性 | 第23-24页 |
| 1.2.3 超材料电磁特性设计及原理 | 第24-26页 |
| 1.2.4 超材料技术应用 | 第26-31页 |
| 1.3 超材料在太赫兹波段的应用 | 第31-37页 |
| 1.3.1 几种典型的主动式太赫兹超材料 | 第31-35页 |
| 1.3.2 手性太赫兹超材料 | 第35-36页 |
| 1.3.3 太赫兹超材料发展现状及面临的科学问题 | 第36-37页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 第二章 基于a-IGZO TFT的主动式超材料太赫兹波振幅调制器 | 第44-72页 |
| 引言 | 第44页 |
| 2.1 主动式太赫兹调制器件的研究背景与发展现状 | 第44-47页 |
| 2.2 非晶铟镓锌氧基薄膜晶体管的发展与应用 | 第47-49页 |
| 2.3 基于薄膜晶体管制备的超材料太赫兹调制器的设计与分析 | 第49-57页 |
| 2.3.1 单元结构设计 | 第49-51页 |
| 2.3.2 超材料与太赫兹波耦合机制分析 | 第51-55页 |
| 2.3.3 实现主动式控制的原理分析 | 第55-57页 |
| 2.4 基于a-IGZO TFT的太赫兹超材料制备与性能表征 | 第57-66页 |
| 2.4.1 制备工艺及a-IGZO TFT电学性能表征 | 第57-59页 |
| 2.4.2 电学可控太赫兹超材料工作性能表征 | 第59-64页 |
| 2.4.3 器件动态工作性能表征 | 第64-66页 |
| 2.5 器件工作性能综述与讨论 | 第66-68页 |
| 2.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第三章 基于手性超材料的太赫兹非对称偏振旋转器及控制非逻辑门的实现 | 第72-95页 |
| 引言 | 第72-73页 |
| 3.1 THz偏振态调控的科学意义与研究背景 | 第73-74页 |
| 3.2 THz偏振状态非对称旋转的实现方法 | 第74-77页 |
| 3.2.1 传输矩阵介绍 | 第74页 |
| 3.2.2 特征传输矩阵与材料对称性 | 第74-75页 |
| 3.2.3 三维手性超材料 | 第75-77页 |
| 3.3 基于新型三维手性超材料制备的THz非对称偏振旋转器 | 第77-82页 |
| 3.3.1 结构参数设计与工艺制备 | 第77-78页 |
| 3.3.2 THz偏振旋转测试系统介绍 | 第78-80页 |
| 3.3.3 THz非对称偏振旋转器性能表征 | 第80-82页 |
| 3.4 THz非对称偏振旋转器工作原理分析 | 第82-86页 |
| 3.4.1 THz非对称偏振旋转器旋光性研究 | 第82-85页 |
| 3.4.2 超材料结构表面电流分析 | 第85-86页 |
| 3.5 太赫兹偏振非对称旋转与逻辑运算研究 | 第86-89页 |
| 3.5.1 偏振编码与控制非门 | 第86-87页 |
| 3.5.2 基于太赫兹线性偏振态的控制非逻辑运算 | 第87-89页 |
| 3.6 本章小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第四章 总结与展望 | 第95-98页 |
| 4.1 总结 | 第95-96页 |
| 4.2 展望 | 第96-98页 |
| 科研成果清单 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-103页 |
