| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-33页 |
| 1.1 辐射跃迁机制及过程 | 第12-15页 |
| 1.2 噻咯分子的性质 | 第15-25页 |
| 1.2.1 概述 | 第15-17页 |
| 1.2.2 噻咯分子的合成方法 | 第17-20页 |
| 1.2.3 1,1-位修饰的噻咯合成举例 | 第20-21页 |
| 1.2.4 2,5-位修饰的噻咯合成举例 | 第21-24页 |
| 1.2.5 3,4-位修饰的噻咯合成举例 | 第24-25页 |
| 1.3 噻咯化合物的应用研究 | 第25-30页 |
| 1.3.1 噻咯化合物在光电材料领域的应用 | 第25-27页 |
| 1.3.2 噻咯化合物在化学传感器领域的应用 | 第27-29页 |
| 1.3.3 噻咯化合物在生物传感器领域的应用 | 第29-30页 |
| 1.4 本论文设计思想 | 第30-33页 |
| 第2章 三种 2,5-位三苯胺基取代噻咯化合物的合成与光谱性质 | 第33-49页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 实验部分 | 第34-39页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第34-35页 |
| 2.2.2 仪器及测试条件 | 第35-36页 |
| 2.2.3 化合物的合成及表征 | 第36-39页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第39-48页 |
| 2.3.1 化合物 1-3 的光物理性质 | 第39-40页 |
| 2.3.2 化合物 4-6 的吸收光谱性质 | 第40-43页 |
| 2.3.3 化合物 4-6 的荧光光谱及聚集诱导发光性质 | 第43-46页 |
| 2.3.4 化合物 4-6 在有机溶剂的荧光响应 | 第46-48页 |
| 2.4 本章总结 | 第48-49页 |
| 第3章 三种 2,5-位咔唑基取代噻咯化合物的合成与光谱性质 | 第49-63页 |
| 3.1 引言 | 第49-51页 |
| 3.2 实验部分 | 第51-54页 |
| 3.2.1 原料与试剂 | 第51-52页 |
| 3.2.2 仪器及测试条件 | 第52页 |
| 3.2.3 化合物的合成及表征 | 第52-54页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第54-62页 |
| 3.3.1 噻咯类有机分子的合成 | 第54页 |
| 3.3.2 噻咯类有机分子的紫外可见吸收光谱性质 | 第54-57页 |
| 3.3.3 噻咯分子聚集态诱导荧光发光效应 | 第57-59页 |
| 3.3.4 化合物 7-9 在有机溶剂的荧光响应 | 第59-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 三种 2,5-位三甲基硅双苯乙炔取代噻咯的合成与光谱性质 | 第63-77页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 实验部分 | 第64-67页 |
| 4.2.1 原料与试剂 | 第64页 |
| 4.2.2 仪器及测试条件 | 第64-65页 |
| 4.2.3 化合物的合成 | 第65页 |
| 4.2.4 化合物10的合成 | 第65-66页 |
| 4.2.5 化合物11合成 | 第66页 |
| 4.2.6 化合物12的合成 | 第66页 |
| 4.2.7 纳米聚集体的制备 | 第66-67页 |
| 4.2.8 噻咯薄层层析板的制备 | 第67页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第67-75页 |
| 4.3.1 噻咯类有机分子的合成 | 第67页 |
| 4.3.2 噻咯类有机分子的吸收光谱 | 第67-70页 |
| 4.3.3 三种噻咯分子聚集态诱导荧光发光效应 | 第70-73页 |
| 4.3.4 化合物 10-12 在有机溶剂的荧光响应 | 第73-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第5章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 攻读硕士期间主要的研究成果 | 第87-89页 |
| 附图 | 第89-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
