| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 1 研究背景和内容 | 第13-28页 |
| ·半导体纳米材料 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米线成为研究热点 | 第14-15页 |
| ·半导体纳米线异质结 | 第15页 |
| ·III-V窄带隙半导体纳米线及其异质结——优势及应用 | 第15-16页 |
| ·III-V族窄带隙半导体纳米线的制备方法 | 第16-18页 |
| ·III-V族窄带隙纳米线的生长机制 | 第18-20页 |
| ·气—液—固机制（VLS）及其发展 | 第18-19页 |
| ·纳米线生长时的基本物理过程 | 第19-20页 |
| ·纳米线生长时存在的其他竞争性过程 | 第20页 |
| ·III-V族窄带隙纳米线及其异质结——研究现状 | 第20-26页 |
| ·In As纳米线 | 第21-22页 |
| ·InSb纳米线 | 第22-23页 |
| ·GaSb纳米线 | 第23-24页 |
| ·三元系窄带隙纳米线 | 第24-25页 |
| ·III-V族窄带隙纳米线所面临的问题 | 第25-26页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 2 纳米线生长与表征技术 | 第28-35页 |
| ·分子束外延生长技术 | 第28-30页 |
| ·分子束外延 | 第28-29页 |
| ·纳米线生长过程 | 第29-30页 |
| ·电子显微术 | 第30-33页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| ·透射电子显微镜 | 第31-32页 |
| ·扫描透射电子显微镜 | 第32-33页 |
| ·TEM/STEM样品制备 | 第33页 |
| ·X射线能量分散谱仪 | 第33-34页 |
| ·拉曼散射谱 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 InAs纳米线的分子束外延制备与物性表征 | 第35-44页 |
| ·实验过程 | 第36页 |
| ·高质量In As纳米线的形貌与晶体结构 | 第36-37页 |
| ·生长温度变化对In As纳米线生长的影响 | 第37-38页 |
| ·衬底取向变化对In As纳米线生长的影响 | 第38-41页 |
| ·In As纳米线的Raman谱表征 | 第41页 |
| ·In As纳米线的场效应晶体管特性研究 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 4 Bi气氛对InAs纳米线的生长调控研究 | 第44-67页 |
| ·实验过程 | 第45-46页 |
| ·基本概念 | 第46-47页 |
| ·Bi气氛对InAs纳米线的晶体结构调控 | 第47-57页 |
| ·In As纳米线的形貌与晶体结构 | 第47-53页 |
| ·形核模型 | 第53-55页 |
| ·机理分析 | 第55-56页 |
| ·In As纳米线晶体结构演变过程的讨论 | 第56页 |
| ·表面活性剂效应在III-V族纳米线晶体结构调控方面的应用和优势 | 第56-57页 |
| ·In As/InAsBi“纳米树”生长分析 | 第57-66页 |
| ·典型“纳米树”形貌、结构与组分分析 | 第57-63页 |
| ·分析与讨论 | 第63-65页 |
| ·生长条件变化对“纳米树”生长的影响 | 第65-66页 |
| ·Bi元素在InAs纳米线生长调控方面的作用 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 5 In As/InSb纳米线异质结的分子束外延生长 | 第67-79页 |
| ·实验过程 | 第68页 |
| ·生长参数变化对InSb纳米线生长的影响 | 第68-70页 |
| ·In As/InSb轴向异质纳米线的形貌和结构分析 | 第70-74页 |
| ·In As/InSb轴向异质纳米线的Raman表征 | 第74-75页 |
| ·In As/InSb核—壳结构纳米线 | 第75-77页 |
| ·In AsSb纳米线的分子束外延制备 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 6 GaAs/GaSb纳米线异质结的外延生长与机理分析 | 第79-98页 |
| ·实验过程 | 第79-81页 |
| ·生长温度变化对GaSb纳米线生长的影响 | 第81页 |
| ·V/III束流比对GaSb纳米线生长的影响 | 第81-82页 |
| ·GaAs/GaSb纳米线的结构和组分分析 | 第82-88页 |
| ·GaSb纳米盘 | 第88页 |
| ·GaSb纳米线生长的时间演化过程 | 第88-94页 |
| ·GaAs/GaSb核—壳结构纳米线的生长机制 | 第94-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 7 总结与展望 | 第98-102页 |
| ·论文总结 | 第98-100页 |
| ·后续展望 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-111页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第111-112页 |
