| 摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-32页 |
| ·共轭π电子材料概述 | 第18-20页 |
| ·低维碳材料 | 第20-26页 |
| ·碳材料的发展历史 | 第20-22页 |
| ·低维碳材料的性质 | 第22-23页 |
| ·碳纳米材料的合成 | 第23-25页 |
| ·低维碳材料的应用 | 第25-26页 |
| ·金属有机复合结构 | 第26-27页 |
| ·研究目标与选题意义 | 第27-28页 |
| ·论文结构 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 理论方法 | 第32-45页 |
| ·第一性原理计算方法的基本原理 | 第32-35页 |
| ·第一性原理的三个基本近似 | 第33-34页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第34-35页 |
| ·密度泛函理论 | 第35-39页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第36-37页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第37-38页 |
| ·交换关联泛函 | 第38-39页 |
| ·基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法 | 第39-42页 |
| ·常用量子力学计算程序包简介 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 单壁碳纳米管中的管间耦合效应 | 第45-72页 |
| ·管间耦合对超顺排碳纳米管电子结构的调控 | 第45-56页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·计算细节 | 第46-47页 |
| ·单壁碳纳米管单层薄膜的管间耦合 | 第47-51页 |
| ·单壁碳纳米管双层薄膜的管间耦合 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| ·金属原子吸附的碳纳米管电流-电压特性 | 第56-72页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·计算细节 | 第57-60页 |
| ·金属原子吸附对金属性碳纳米管电子输运特性的影响 | 第60-64页 |
| ·金属原子吸附对半导体性碳纳米管电子输运特性的影响 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第四章 应力对石墨烯纳米螺旋电子结构和输运特征的调控 | 第72-86页 |
| ·引言 | 第72-74页 |
| ·计算细节 | 第74页 |
| ·应力对电子结构的调控 | 第74-79页 |
| ·应力作用下的输运特性 | 第79-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第五章 金属有机复合结构中的电子自旋极化与磁耦合 | 第86-116页 |
| ·二维卟啉材料中的铁磁和半金属性质 | 第86-104页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·计算细节 | 第87-89页 |
| ·二维卟啉构型 | 第89-93页 |
| ·二维金属-卟啉结构 | 第93-100页 |
| ·小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| ·π-共轭Kagome晶格中的自旋阻挫和半金属性 | 第104-116页 |
| ·引言 | 第104-105页 |
| ·计算细节 | 第105-106页 |
| ·二维MC_4S_4的结构 | 第106-108页 |
| ·二维MC_4S_4的结构中的局域磁矩 | 第108-110页 |
| ·MC_4S_4结构中的磁耦合性质 | 第110-111页 |
| ·MC_4S_4结构中的电子性质 | 第111-113页 |
| ·小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-116页 |
| 第六章 氢化石墨炔的稳定性和电子结构 | 第116-129页 |
| ·引言 | 第116-117页 |
| ·计算细节 | 第117-118页 |
| ·氢化石墨炔的电子结构 | 第118-125页 |
| ·氢化石墨二炔的电子结构 | 第125-126页 |
| ·小结 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-129页 |
| 第七章 结论 | 第129-133页 |
| ·主要内容和结论 | 第129-132页 |
| ·创新点 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 攻读博士期间参与的项目 | 第134页 |
| 获奖情况 | 第134-135页 |
| 发表论文与专利 | 第135-137页 |
| 参加的培训与学术会议 | 第137-138页 |
| 附录：外文论文 | 第138-174页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第174页 |