| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| ·二氧化钒简介 | 第12-14页 |
| ·二氧化钒的晶体结构 | 第14-17页 |
| ·相结构简介 | 第14-15页 |
| ·M1、R与M2的相结构及其转变 | 第15-17页 |
| ·VO_2的能带结构与金属-绝缘相变 | 第17-25页 |
| ·晶体场理论 | 第17-18页 |
| ·能带论 | 第18-20页 |
| ·VO_2的金属-绝缘相变机理 | 第20-25页 |
| ·peierls相变机理 | 第20-22页 |
| ·Mott相变机理 | 第22-25页 |
| ·协同作用机理 | 第25页 |
| ·二氧化钒相变温度的主要调控方式 | 第25-32页 |
| ·离子掺杂方法 | 第25-28页 |
| ·界面应力方法 | 第28-29页 |
| ·离子液方法 | 第29-31页 |
| ·氢化处理 | 第31-32页 |
| ·二氧化钒的主要应用前景 | 第32-36页 |
| ·红外激光防护装置 | 第32-33页 |
| ·智能窗 | 第33-35页 |
| ·非制冷红外探测器 | 第35-36页 |
| ·其他应用领域 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第二章 分子束外延(MBE)技术及表征 | 第38-56页 |
| ·分子束外延(MBE)的薄膜制备技术 | 第38-49页 |
| ·MBE设备简介 | 第38-47页 |
| ·真空泵的介绍 | 第40-43页 |
| ·生长室的主要组成部分 | 第43-47页 |
| ·MBE技术简介 | 第47-49页 |
| ·二氧化钒薄膜的常用表征方法 | 第49-54页 |
| ·拉曼(Raman)表征方法 | 第49-50页 |
| ·X射线衍射(XRD)表征方法 | 第50-54页 |
| ·常规XRD表征方法 | 第50-52页 |
| ·同步辐射XRD表征方法 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 VO_2/p-GaN p-n结型器件调控VO_2相变特性的研究 | 第56-68页 |
| ·研究背景 | 第56页 |
| ·实验方法 | 第56-57页 |
| ·结果与分析 | 第57-66页 |
| ·拉曼表征 | 第57-59页 |
| ·同步辐射XRD表征 | 第59-61页 |
| ·VO_2/p-GaN结构的整流特性 | 第61-63页 |
| ·不同偏压下VO_2薄膜的相变行为及其解释机理 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 基于VO_2复合材料在其他领域的初步探究 | 第68-76页 |
| ·VO_2与石墨烯复合材料的初步研究 | 第68-70页 |
| ·VO_2_与HOPG复合材料的初步探究 | 第70-71页 |
| ·VO_2与V_2O_5复合材料的初步探讨 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 硕士期间所发表的论文 | 第90页 |