| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| ·半导体一维纳米结构的概述 | 第12-14页 |
| ·一维半导体纳米结构及合金纳米结构 | 第12-13页 |
| ·一维纳米结构的制备 | 第13-14页 |
| ·基于纳米结构的新型光电探测器概述 | 第14-19页 |
| ·纳米结构光电探测器的发展背景 | 第14-15页 |
| ·光电导效应及光电导探测器的优势 | 第15-16页 |
| ·光电导探测器重要参数指标 | 第16-17页 |
| ·影响光电导效应的因素 | 第17-19页 |
| ·一维纳米结构在光电探测器领域的研究意义和进展 | 第19-25页 |
| ·纳米线光电探测器 | 第20-22页 |
| ·纳米带光电探测器 | 第22-24页 |
| ·渐变带隙的三元合金光电探测器 | 第24-25页 |
| ·本文的选题依据和研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 CdSSe 纳米线单基片的制备与表征 | 第27-32页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·组分可调的 CdSSe 纳米线单基片的制备 | 第27-28页 |
| ·CdSSe 集成纳米线单基片的制备与形貌分析 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 带隙渐变的 CdSSe 纳米线单基片最佳参数的选择 | 第32-43页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·不同基底对 CdSSe 纳米线基片光电导特性的影响 | 第33-35页 |
| ·硅基底单基片的光电导性质 | 第33-34页 |
| ·云母基底单基片的光电导性质 | 第34-35页 |
| ·蒸镀保护膜膜对光电导性质的影响 | 第35-37页 |
| ·电极参数对 CdSSe 纳米线单基片光电特性的影响 | 第37-40页 |
| ·叉指电极、条形电极对光电导性质的影响 | 第37-38页 |
| ·叉指电极参数对光电导性质的影响 | 第38-40页 |
| ·厚度对光电导性能的影响 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 带隙可调的 CdSSe 纳米线基片探测器响应特性研究 | 第43-57页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·带隙和组分渐变的 CdSSe 纳米线基片与单根 CdS_(0.57)Se_(0.43)纳米线光电导性能的比较 | 第43-45页 |
| ·不同基片光电导性能的比较 | 第45-46页 |
| ·不同偏压下 CdSSe 纳米线基片的光电特性 | 第46-47页 |
| ·CdSSe 纳米线基片光谱响应范围以及不同光功率下光电导变化 | 第47-49页 |
| ·CdSSe 纳米线基片的频率响应特性及响应速度的研究 | 第49-53页 |
| ·CdSSe 单基片的频率响应 | 第49-52页 |
| ·CdSSe 纳米线单基片第二阶段衰减时间常数(τd2)随电压和温度的变化 | 第52-53页 |
| ·CdSSe 集成纳米线基片的低温响应特性 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 相关实验装置和测量方法 | 第57-61页 |
| ·真空镀膜装置蒸镀电极 | 第57-58页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第58-59页 |
| ·吉时利 4200 半导体测试系统测量 I-V 曲线 | 第59-60页 |
| ·低温测量系统 | 第60-61页 |
| 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
