| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·研究意义 | 第7-8页 |
| ·Mg_2Si的基本性质 | 第8-11页 |
| ·Mg_2Si的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·Mg_2Si的光学、电学性质 | 第9-11页 |
| ·Mg_2Si材料与薄膜的研究现状 | 第11-14页 |
| ·Mg_2Si的应用研究现状 | 第14-16页 |
| ·热电材料 | 第14-15页 |
| ·电池材料 | 第15页 |
| ·电子器件 | 第15-16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 制备与表征方法 | 第17-26页 |
| ·实验材料 | 第17页 |
| ·制备仪器 | 第17-21页 |
| ·磁控溅射系统 | 第17-20页 |
| ·热处理系统 | 第20-21页 |
| ·样品的表征 | 第21-25页 |
| ·X射线衍射仪(XRD） | 第21-23页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| ·台阶仪 | 第24页 |
| ·四探针 | 第24页 |
| ·半导体器件分析仪 | 第24-25页 |
| ·分光光度计 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 Mg_2Si薄膜的制备与表征分析 | 第26-35页 |
| ·Mg_2Si薄膜的制备 | 第26-29页 |
| ·衬底材料与靶材的处理 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第27-28页 |
| ·热处理 | 第28-29页 |
| ·Mg_2Si薄膜的晶体结构 | 第29-30页 |
| ·Mg_2Si薄膜的表面形貌 | 第30-31页 |
| ·溅射Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜厚度的影响 | 第31-34页 |
| ·Mg的溅射速率 | 第31-32页 |
| ·Mg膜厚度与Mg_2Si薄膜之间的关系 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 Mg_2Si/Si异质结的制备与光电特性研究 | 第35-49页 |
| ·Mg_2Si/Si异质结的制备 | 第35页 |
| ·Mg_2Si/Si异质结光吸收特性研究 | 第35-45页 |
| ·光吸收原理 | 第35-36页 |
| ·Mg_2Si/P-Si异质结的光吸收性质 | 第36-37页 |
| ·Mg_2Si/N-Si异质结的光吸收性质 | 第37-39页 |
| ·衬底的光吸收性质 | 第39-40页 |
| ·Mg_2Si异质结的光吸收性质的简单分析 | 第40-41页 |
| ·粗糙衬底以及对应Mg_2Si/Si异质结的光吸收性质的简单分析 | 第41-45页 |
| ·Mg_2Si/Si异质结电阻率特性研究 | 第45-47页 |
| ·Mg_2Si/Si异质结I-V特性研究 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 Mg_2Si/Si异质结光学参数计算 | 第49-59页 |
| ·光学参数计算的基本原理与参数 | 第49-52页 |
| ·光学参数计算的基本原理 | 第49-50页 |
| ·基本参数的选取 | 第50-52页 |
| ·衬底光学参数的计算 | 第52-55页 |
| ·异质结光学参数的计算与分析 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 Si/Mg_2Si/Si双异质结的制备与光电特性 | 第59-64页 |
| ·Si/Mg_2Si/Si的双异质结的制备 | 第59-60页 |
| ·Si/Mg_2Si/Si双异质结光吸收特性研究 | 第60-61页 |
| ·Si/Mg_2Si/Si双异质结I-V特性研究 | 第61-62页 |
| ·Si/Mg_2Si/Si双异质结电阻率特性研究 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第七章 总结 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 附录 | 第75-76页 |
