直流电弧离子源及控制装置的研制
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| ·真空制备光学薄膜技术 | 第8-9页 |
| ·真空电弧离子镀技术的原理 | 第9-11页 |
| ·电弧源离子镀的发展历程和研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 2 直流电弧离子源的设计 | 第13-18页 |
| ·电弧离子蒸发源的分类 | 第13页 |
| ·电弧离子源的主要参数 | 第13页 |
| ·电弧离子源各个零件材料选择要求 | 第13页 |
| ·不同零部件的材料选择分析 | 第13-14页 |
| ·电弧离子源的设计方案 | 第14-18页 |
| ·电弧离子源冷却水系统设计 | 第14-15页 |
| ·电弧离子源引弧机构的设计 | 第15-16页 |
| ·电弧离子源的电路设计 | 第16-18页 |
| 3 靶源磁场的设计 | 第18-26页 |
| ·电弧离子源磁场的形式 | 第18-19页 |
| ·磁场计算理论基础 | 第19-21页 |
| ·靶源磁场结构设计 | 第21-23页 |
| ·模拟仿真磁场线圈的磁力线分布 | 第23-26页 |
| 4 控制装置的设计 | 第26-48页 |
| ·高压脉冲电源的分类 | 第26-28页 |
| ·高压脉冲电源技术要求 | 第27页 |
| ·高压脉冲电源的技术指标及技术方案 | 第27-28页 |
| ·开关器件的选择 | 第28页 |
| ·IGBT的结构和工作原理 | 第28-30页 |
| ·IGBT的基本特性 | 第30-33页 |
| ·IGBT的静态特性 | 第30-31页 |
| ·IGBT的动态特性 | 第31-32页 |
| ·IGBT的参数选取 | 第32-33页 |
| ·高压脉冲电源设计方案 | 第33页 |
| ·IGBT驱动电路 | 第33-37页 |
| ·EXB841工作原理 | 第35-37页 |
| ·控制信号PWM脉冲发生电路的设计 | 第37-41页 |
| ·控制信号PWM脉冲发生电路的工作原理 | 第38-39页 |
| ·电路频率和占空比的计算 | 第39-40页 |
| ·控制信号PWM脉冲发生电路的仿真 | 第40-41页 |
| ·主电源电流信号的检测电路的设计 | 第41-43页 |
| ·电流信号的检测 | 第42页 |
| ·比较环节电路设计 | 第42-43页 |
| ·电流信号的采集电路的设计 | 第43-48页 |
| 5 测量的建立与结果说明 | 第48-50页 |
| ·测量的建立 | 第48页 |
| ·结果说明 | 第48-50页 |
| 6 结论 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
