首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--薄膜物理学论文--薄膜的生长、结构和外延论文

过渡金属掺杂MgxZn1-xO单晶薄膜的外延制备与性能研究

中文摘要第1-13页
Abstract第13-17页
第一章 绪论第17-45页
 第一节 自旋电子学简介第17-28页
  1. 基于铁磁金属材料的自旋电子学第18-20页
  2. 基于半导体材料的自旋电子学第20-25页
  3. 自旋电子学研究的一些新领域第25-28页
 第二节 磁性半导体第28-33页
  1. Eu的硫族化合物第29-30页
  2. 过渡金属掺杂Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体第30页
  3. Mn掺杂Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体第30-32页
  4. 氧化物磁性半导体第32-33页
 第三节 Mg_xZn_(1-x)O基本性质及其在自旋电子学领域中的研究现状第33-37页
  1. Mg_xZn_(1-x)O材料的基本性质第33-36页
  2. Mg_xZn_(1-x)O在自旋电子学领域中的研究现状第36-37页
 第四节 本论文的研究方法和内容第37-40页
 参考文献第40-45页
第二章 样品的制备技术和分析测试方法第45-63页
 第一节 样品制备技术第45-53页
  1. 真空技术简介第45-50页
  2. 超高真空分子束外延技术第50-53页
 第二节 样品的分析测试方法第53-63页
  1. X-射线衍射(XRD)第53-54页
  2. 反射式高能电子衍射(RHEED)第54-55页
  3. 拉曼光谱(Raman)第55-57页
  4. 交变梯度磁强计(AGM)第57-58页
  5. 超导量子干涉仪(SQUID)第58-61页
  6. X-射线光电子能谱(XPS)第61-63页
第三章 利用MgO缓冲层外延制备高质量Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜第63-73页
 第一节 引言第63-64页
 第二节 实验细节第64-65页
 第三节 实验结果与讨论第65-69页
 第四节 本章小结第69-71页
 参考文献第71-73页
第四章 Mn掺杂Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构、带隙及Mn杂质态研究第73-88页
 第一节 引言第73-74页
 第二节 实验细节第74-75页
 第三节 实验结果与讨论第75-84页
 第四节 本章小结第84-85页
 参考文献第85-88页
第五章 Zn_(0.85-x)Mgx_Co_(0.15)O单晶薄膜中的磁性以及输运性质研究第88-99页
 第一节 引言第88-89页
 第二节 实验细节第89-90页
 第三节 实验结果与讨论第90-96页
 第四节 本章小结第96-97页
 参考文献第97-99页
第六章 高Co含量Co_y(Mg_xZn(1-x))_(1-y)O单晶薄膜中的室温铁磁性第99-114页
 第一节 引言第99-100页
 第二节 实验细节第100页
 第三节 实验结果与讨论第100-109页
 第四节 本章小结第109-111页
 参考文献第111-114页
第七章 总结与展望第114-117页
 第一节 本论文的主要内容和结果第114-115页
 第二节 本论文的特色和创新第115-116页
 第三节 未来工作的展望第116-117页
致谢第117-119页
已发表和即将发表的论文及参加的学术会议第119-132页
学位论文评阅及答辩情况表第132页

论文共132页,点击 下载论文
上一篇:小分子量子动力学性质研究
下一篇:量子关联及其动力学的研究