| 中文摘要 | 第1-13页 |
| Abstract | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-45页 |
| 第一节 自旋电子学简介 | 第17-28页 |
| 1. 基于铁磁金属材料的自旋电子学 | 第18-20页 |
| 2. 基于半导体材料的自旋电子学 | 第20-25页 |
| 3. 自旋电子学研究的一些新领域 | 第25-28页 |
| 第二节 磁性半导体 | 第28-33页 |
| 1. Eu的硫族化合物 | 第29-30页 |
| 2. 过渡金属掺杂Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体 | 第30页 |
| 3. Mn掺杂Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体 | 第30-32页 |
| 4. 氧化物磁性半导体 | 第32-33页 |
| 第三节 Mg_xZn_(1-x)O基本性质及其在自旋电子学领域中的研究现状 | 第33-37页 |
| 1. Mg_xZn_(1-x)O材料的基本性质 | 第33-36页 |
| 2. Mg_xZn_(1-x)O在自旋电子学领域中的研究现状 | 第36-37页 |
| 第四节 本论文的研究方法和内容 | 第37-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 第二章 样品的制备技术和分析测试方法 | 第45-63页 |
| 第一节 样品制备技术 | 第45-53页 |
| 1. 真空技术简介 | 第45-50页 |
| 2. 超高真空分子束外延技术 | 第50-53页 |
| 第二节 样品的分析测试方法 | 第53-63页 |
| 1. X-射线衍射(XRD) | 第53-54页 |
| 2. 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第54-55页 |
| 3. 拉曼光谱(Raman) | 第55-57页 |
| 4. 交变梯度磁强计(AGM) | 第57-58页 |
| 5. 超导量子干涉仪(SQUID) | 第58-61页 |
| 6. X-射线光电子能谱(XPS) | 第61-63页 |
| 第三章 利用MgO缓冲层外延制备高质量Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜 | 第63-73页 |
| 第一节 引言 | 第63-64页 |
| 第二节 实验细节 | 第64-65页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第65-69页 |
| 第四节 本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 Mn掺杂Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构、带隙及Mn杂质态研究 | 第73-88页 |
| 第一节 引言 | 第73-74页 |
| 第二节 实验细节 | 第74-75页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第75-84页 |
| 第四节 本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 Zn_(0.85-x)Mgx_Co_(0.15)O单晶薄膜中的磁性以及输运性质研究 | 第88-99页 |
| 第一节 引言 | 第88-89页 |
| 第二节 实验细节 | 第89-90页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第90-96页 |
| 第四节 本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第六章 高Co含量Co_y(Mg_xZn(1-x))_(1-y)O单晶薄膜中的室温铁磁性 | 第99-114页 |
| 第一节 引言 | 第99-100页 |
| 第二节 实验细节 | 第100页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第100-109页 |
| 第四节 本章小结 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第七章 总结与展望 | 第114-117页 |
| 第一节 本论文的主要内容和结果 | 第114-115页 |
| 第二节 本论文的特色和创新 | 第115-116页 |
| 第三节 未来工作的展望 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 已发表和即将发表的论文及参加的学术会议 | 第119-132页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第132页 |
