| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·研究背景 | 第7-10页 |
| ·研究进展 | 第10-14页 |
| ·本论文的主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 锑化物材料的理论模拟 | 第15-23页 |
| ·InGaAsSb、AlGaAsSb材料的基本参数 | 第15-19页 |
| ·InGaAsSb、AlGaAsSb材料的折射率 | 第19-21页 |
| ·小结 | 第21-23页 |
| 第三章 锑化物量子阱能带结构模拟和波导结构理论 | 第23-35页 |
| ·量子阱能带的理论模拟 | 第23-25页 |
| ·波长为2.0μm的量子阱结构模拟 | 第25-27页 |
| ·波长为2.3μm的量子阱结构模拟 | 第27-28页 |
| ·对激射波长更长的量子阱结构的讨论 | 第28-30页 |
| ·量子阱中势阱宽度对跃迁波长的影响 | 第30-31页 |
| ·半导体激光器波导结构的理论研究 | 第31-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第四章 锑化物材料的分子束外延(MBE)生长研究 | 第35-50页 |
| ·分子束外延简介 | 第35-40页 |
| ·材料的测试设备 | 第40-43页 |
| ·InGaAsSb、AlGaAsSb的外延生长 | 第43-48页 |
| ·生长温度对量子阱材料的外延生长 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 锑化物激光器的测试 | 第50-52页 |
| ·锑化物激光器的结构 | 第50页 |
| ·锑化物激光器的测试 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第六章 论文总结 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |