| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·一维纳米材料制备方法 | 第14-20页 |
| ·一维半导体纳米材料发展趋势、研究进展和前景 | 第20-24页 |
| ·一维半导体纳米材料发展趋势 | 第20-22页 |
| ·一维半导体纳米材料物性研究进展 | 第22-24页 |
| ·一维半导体纳米材料发展前景 | 第24页 |
| ·一维金属纳米材料性质和展望 | 第24-26页 |
| ·一维金属纳米材料性质 | 第24-26页 |
| ·一维金属纳米材料展望 | 第26页 |
| ·一维金属—半导体异质纳米结构 | 第26-31页 |
| ·异质纳米结构介绍及制备方法 | 第26-29页 |
| ·金属—半导体异质纳米结构 | 第29-31页 |
| ·本论文的选题背景与研究内容 | 第31-33页 |
| ·选题背景 | 第31页 |
| ·研究内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-40页 |
| 第二章 Ag/ZnO和Cu/ZnO同轴纳米电缆的制备和电学性质 | 第40-66页 |
| ·引言 | 第40-46页 |
| ·金属—半导体异质纳米结构 | 第40-41页 |
| ·金属—ZnO异质纳米结构 | 第41-44页 |
| ·金属—ZnO同轴纳米电缆 | 第44-46页 |
| ·Ag/ZnO和Cu/ZnO同轴纳米电缆的制备方法和表征方法 | 第46-58页 |
| ·实验装置和实验过程 | 第46-47页 |
| ·样品的表征 | 第47-48页 |
| ·Ag/ZnO及Cu/ZnO同轴纳米电缆的形貌和结构分析 | 第48-51页 |
| ·源中AgNO_3的量和Cu的量对产物结构和形貌的影响 | 第51-53页 |
| ·生长温度对产物形貌和结构的影响 | 第53-54页 |
| ·Ag/ZnO同轴纳米电缆的生长机制 | 第54-56页 |
| ·Ag/ZnO同轴纳米电缆的光学性质 | 第56-58页 |
| ·Ag/ZnO纳米电缆电学性质 | 第58-61页 |
| ·金属—半导体肖特基接触性质及应用 | 第58-60页 |
| ·电学性质测试方法及结果讨论 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第三章 单晶Ag纳米线化学气相法制备及其表面增强Raman性能 | 第66-86页 |
| ·引言 | 第66-70页 |
| ·制备方法和表征方法 | 第70-71页 |
| ·实验药品和实验方法 | 第70-71页 |
| ·Ag/ZnO共轴纳米电缆和Ag纳米线表征方法 | 第71页 |
| ·实验结果和讨论 | 第71-76页 |
| ·Ag纳米线的形貌和结构分析 | 第71-73页 |
| ·Ag纳米线的生长机制 | 第73-74页 |
| ·改变AgNO_3的量来控制Ag纳米线直径 | 第74-75页 |
| ·单晶Ag纳米线的光学性质 | 第75-76页 |
| ·Ag纳米线的表面增强Raman效应 | 第76-81页 |
| ·表面增强Raman原理及衬底种类 | 第76-79页 |
| ·表面增强Raman效应测试方法 | 第79页 |
| ·结果讨论 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第四章 ZnO纳米管中填充Ag纳米颗粒链—纳米豆荚结构制备 | 第86-98页 |
| ·引言 | 第86-90页 |
| ·制备方法和表征方法 | 第90-91页 |
| ·实验结果和讨论 | 第91-96页 |
| ·Ag/ZnO纳米豆荚形貌和结构分析 | 第91-92页 |
| ·退火条件对纳米豆荚形貌和结构的影响 | 第92-94页 |
| ·核、壳直径对纳米豆荚形貌和结构的影响 | 第94-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-98页 |
| 第五章 总结和展望 | 第98-100页 |
| ·总结 | 第98-99页 |
| ·展望 | 第99-100页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
