| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·有机电致发光器件 | 第9-16页 |
| ·有机电致发光器件的研究进展 | 第10-11页 |
| ·有机电致发光器件的原理 | 第11-13页 |
| ·氧化铟锡(ITO)作阳极的界面修饰 | 第13-14页 |
| ·磷光发光的有机电致发光器件 | 第14-16页 |
| ·有机电双稳态器件 | 第16-19页 |
| ·有机电双稳态器件的活性材料 | 第16-18页 |
| ·有机电存储器阻抗转换的机制 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 有机电致发光器件ITO阳极界面修饰的研究 | 第21-33页 |
| ·实验材料与设备 | 第22-23页 |
| ·实验材料 | 第22-23页 |
| ·实验设备及测试仪器 | 第23页 |
| ·PEDOT：PSS和eMoO_3对OLED空穴注入性质的影响 | 第23-26页 |
| ·OLED器件的制备 | 第23-25页 |
| ·实验结果与讨论 | 第25-26页 |
| ·eMoO_3和sMoO_3对OLED空穴注入性质的影响 | 第26-29页 |
| ·OLED器件的制备 | 第27页 |
| ·实验结果与讨论 | 第27-29页 |
| ·sMoO_3和PEDOT：PSS掺杂对OLED空穴注入性质的影响 | 第29-32页 |
| ·OLED器件的制备 | 第29-30页 |
| ·实验结果与讨论 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 杂原子p-n结构材料在有机电致磷光方面的应用 | 第33-49页 |
| ·磷光器件的主体材料 | 第33-38页 |
| ·咔唑类主体材料 | 第33-35页 |
| ·芳基硅烷类主体材料 | 第35-36页 |
| ·氧磷类主体材料 | 第36-37页 |
| ·聚合物主体材料 | 第37-38页 |
| ·基于杂原子P-N结构主体材料的蓝光PhOLED器件性能优化 | 第38-48页 |
| ·P-N结构材料的基本性质及作为主体材料的可行性分析 | 第39页 |
| ·基于DNCzPO的蓝光电致磷光器件制备 | 第39-40页 |
| ·发光层掺杂比例对器件性质的影响 | 第40-42页 |
| ·电子传输层Bphen厚度对器件电致光谱的影响 | 第42-44页 |
| ·发光层厚度对器件发光效率的影响 | 第44-46页 |
| ·基于优化结构的P-N型主体材料表征 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 基于聚乙烯基甲基硅芴的有机电双稳态器件研究 | 第49-59页 |
| ·聚乙烯基甲基硅芴分子 | 第49页 |
| ·有机电双稳态器件 | 第49-51页 |
| ·实验仪器与设备 | 第49-50页 |
| ·器件的制备工艺与测试方法 | 第50-51页 |
| ·实验结果与讨论 | 第51-58页 |
| ·基于PSi的开关及存储特性 | 第51-53页 |
| ·ITO/PSi/Al器件的导电模型 | 第53-55页 |
| ·不同有机薄膜厚度对器件的影响 | 第55-56页 |
| ·不同退火温度对器件的影响 | 第56-57页 |
| ·开关机理的猜测 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第66-67页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第67-68页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
