多孔硅减反射层的电化学制备研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-15页 |
·课题的研究背景及意义 | 第7-8页 |
·晶硅太阳电池 | 第8-10页 |
·晶硅太阳电池减反射技术 | 第10-14页 |
·光的描述及光与物质的相互作用 | 第10-12页 |
·减反射膜 | 第12页 |
·减反射多孔硅 | 第12-14页 |
·本文基本思路和主要内容 | 第14-15页 |
第二章 多孔硅概述 | 第15-31页 |
·形成机理 | 第15-18页 |
·耗尽模型 | 第15页 |
·扩散限制模型 | 第15-17页 |
·量子限制模型 | 第17-18页 |
·多孔硅的制备方法 | 第18-22页 |
·水热腐蚀法 | 第18页 |
·激光烧蚀法 | 第18-19页 |
·离子刻蚀法 | 第19页 |
·化学浸蚀法 | 第19-20页 |
·电化学腐蚀法 | 第20-21页 |
·光照辅助电化学腐蚀法 | 第21-22页 |
·多孔硅的电化学腐蚀原理 | 第22-26页 |
·半导体能带的弯曲 | 第22页 |
·电化学腐蚀热力学 | 第22-23页 |
·电化学腐蚀动力学 | 第23-26页 |
·电化学工作站 | 第26页 |
·电解池 | 第26-28页 |
·原子力显微镜 | 第28-30页 |
·本章小结 | 第30-31页 |
第三章 多孔硅的制备及减反射性能检测 | 第31-49页 |
·实验所用试剂及仪器 | 第31页 |
·实验准备工作 | 第31-33页 |
·自制电解槽及石墨电极 | 第31-32页 |
·硅片切割、清洗及其表面覆盖处理 | 第32-33页 |
·腐蚀溶液的配制及实验实施 | 第33-34页 |
·实验结果及分析 | 第34-42页 |
·腐蚀时间区间的确定 | 第34-35页 |
·腐蚀电流对多孔硅微结构的影响 | 第35-38页 |
·HF浓度对多孔硅微结构的影响 | 第38-39页 |
·腐蚀电流和HF浓度对多孔硅微结构的综合影响 | 第39-42页 |
·多孔硅的减反射性能测试 | 第42-48页 |
·多孔硅的光学常数 | 第42页 |
·多孔硅的减反射性能测试 | 第42-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第四章 结论及展望 | 第49-50页 |
·结论 | 第49页 |
·展望 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-54页 |
致谢 | 第54-55页 |
攻读硕士期间参与课题和发表论文情况 | 第55页 |