| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1. 绪论 | 第10-23页 |
| ·磁控溅射的原理及应用 | 第10-12页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第10-12页 |
| ·磁控溅射的应用 | 第12页 |
| ·等离子体概述 | 第12-14页 |
| ·等离子体的概念 | 第12-13页 |
| ·等离子体的性质 | 第13-14页 |
| ·等离子体判据 | 第14页 |
| ·低温等离子体 | 第14-21页 |
| ·低温等离子体的产生 | 第15-17页 |
| ·电晕放电(Corona Discharge) | 第15页 |
| ·辉光放电(Glow Discharge) | 第15页 |
| ·介质阻挡放电(Dielectric Barrier Discharge,DBD) | 第15-16页 |
| ·射频放电(Radio Frequency Discharge) | 第16页 |
| ·微波放电(microwave discharge) | 第16-17页 |
| ·低温等离子体的应用 | 第17-18页 |
| ·等离子体光源 | 第17页 |
| ·等离子体化工 | 第17页 |
| ·半导体刻蚀 | 第17-18页 |
| ·薄膜沉积 | 第18页 |
| ·材料表面改性 | 第18页 |
| ·低温等离子体的研究现状 | 第18-21页 |
| ·动力学模型 | 第18-19页 |
| ·粒子(PIC)模型 | 第19-21页 |
| ·流体模型 | 第21页 |
| ·本文的目的、意义及主要内容 | 第21-23页 |
| 2.模型的建立与计算 | 第23-34页 |
| ·研究对象及物理模型 | 第23-25页 |
| ·磁场的数值模拟 | 第25-27页 |
| ·等离子体的数值模拟 | 第27-34页 |
| ·等离子体模型 | 第27-29页 |
| ·边界条件 | 第29-30页 |
| ·初始条件 | 第30页 |
| ·无量纲化 | 第30-31页 |
| ·数值方法 | 第31-34页 |
| 3.模拟结果及理论分析 | 第34-57页 |
| ·磁场的模拟结果 | 第34-41页 |
| ·磁场与磁通的分布情况 | 第34-35页 |
| ·通电电流对磁场模拟结果的影响 | 第35-37页 |
| ·两线圈的通电电流不同时磁场的分布情况 | 第37-41页 |
| ·等离子体的模拟结果 | 第41-47页 |
| ·等离子体的空间分布 | 第42-46页 |
| ·带电粒子密度随时间的变化 | 第46页 |
| ·装置不同位置等离子体分布的比较 | 第46-47页 |
| ·电离项对电离机制的影响 | 第47-57页 |
| ·等离子体的电离机制 | 第48页 |
| ·电离项的分布 | 第48-53页 |
| ·电离项随时间的变化 | 第53-55页 |
| ·电离项在装置不同高度的分布情况 | 第55-57页 |
| 4 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |
