基于SiGe工艺的超宽带低噪声放大器研究与设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·论文的选题背景 | 第7-8页 |
| ·论文的研究要点及其发展现状 | 第8-9页 |
| ·论文的主要工作 | 第9-10页 |
| ·论文的组织结构 | 第10-11页 |
| 第二章 SiGe HBT 噪声模型与射频理论基础 | 第11-25页 |
| ·SiGe HBT 晶体管 | 第11-12页 |
| ·异质结 | 第11-12页 |
| ·Jazz SiGe HBT 晶体管 | 第12页 |
| ·SiGe HBT 晶体管噪声模型 | 第12-16页 |
| ·SiGe HBT 噪声源 | 第13-14页 |
| ·SiGe HBT 噪声模型 | 第14-16页 |
| ·二端口网络 S 参数和史密斯圆图 | 第16-19页 |
| ·二端口网络 S 参数 | 第16-18页 |
| ·史密斯圆图 | 第18-19页 |
| ·两端口网络的噪声分析 | 第19-23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 第三章 宽带匹配技术与带宽展宽技术研究 | 第25-35页 |
| ·宽带匹配技术研究 | 第25-30页 |
| ·带通滤波器宽带匹配 | 第26-28页 |
| ·并联电阻负反馈 | 第28-29页 |
| ·共基极输入技术 | 第29页 |
| ·分布式放大器 | 第29-30页 |
| ·增益带宽展宽技术研究 | 第30-34页 |
| ·并联峰值电感技术 | 第31-33页 |
| ·两级增益带宽展宽技术 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第四章 SiGe 超宽带低噪声放大器电路设计 | 第35-57页 |
| ·超宽带低噪声放大器的性能指标 | 第35-40页 |
| ·噪声系数 | 第35-36页 |
| ·功率增益 | 第36-37页 |
| ·输入功率匹配 | 第37页 |
| ·带宽和增益平坦度 | 第37-38页 |
| ·线性度 | 第38-40页 |
| ·电路结构的选择 | 第40-41页 |
| ·宽带低噪声及宽带匹配网络的设计 | 第41-48页 |
| ·噪声最优晶体管电流密度 | 第42-44页 |
| ·输入匹配网络的设计 | 第44-47页 |
| ·输入阻抗匹配和噪声匹配的折中 | 第47-48页 |
| ·第二级电路的设计和 Buffer 电路的设计 | 第48-51页 |
| ·第二级电路的设计 | 第48-50页 |
| ·Buffer 电路的设计 | 第50-51页 |
| ·电路仿真及分析 | 第51-55页 |
| ·电路图和仿真环境 | 第51-52页 |
| ·电路仿真结果分析 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第五章 版图设计及优化 | 第57-67页 |
| ·版图设计 | 第57-59页 |
| ·版图优化及结果分析 | 第59-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
