| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·GaN 材料的基本特征 | 第9-12页 |
| ·InGaN 太阳电池的发展 | 第12-13页 |
| ·生长 InGaN 电池材料所遇到的困难 | 第13-15页 |
| ·衬底对 InGaN 材料的影响 | 第14页 |
| ·相分离对 InGaN 材料生长的影响 | 第14-15页 |
| ·p 型掺杂的实现对 InGaN 电池的意义 | 第15页 |
| ·本文主要工作和结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 太阳电池的理论原理和材料表征手段 | 第17-29页 |
| ·InGaN 太阳电池的工作原理 | 第17-18页 |
| ·太阳电池的转换效率 | 第18-21页 |
| ·理想太阳电池的转换效率 | 第18-20页 |
| ·非理想效应对电池转换效率的影响 | 第20-21页 |
| ·材料表征简介 | 第21-24页 |
| ·高分辨 X 射线衍射仪(HRXRD)的原理 | 第21-22页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第22-23页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第23-24页 |
| ·太阳模拟器简介 | 第24-28页 |
| ·太阳辐照的基本特点 | 第24-25页 |
| ·太阳模拟器 | 第25-26页 |
| ·太阳模拟器光学特性的检测 | 第26-28页 |
| ·太阳电池性能的测试 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 InGaN 太阳电池的生长、制作及其变温特性 | 第29-45页 |
| ·InGaN/GaN 太阳能电池的仿真 | 第29-34页 |
| ·ATLAS 器件仿真系统简介 | 第29-31页 |
| ·InGaN 吸收层厚度对太阳电池效率的影响 | 第31-33页 |
| ·量子阱数目对太阳电池效率的影响 | 第33-34页 |
| ·InGaN 电池的生长和表征 | 第34-37页 |
| ·InGaN 材料的生长 | 第34-35页 |
| ·样品的 XRD 测试结果 | 第35-36页 |
| ·样品的 AFM 测试结果 | 第36页 |
| ·样品的 PL 测试结果 | 第36-37页 |
| ·太阳电池的制作 | 第37-40页 |
| ·温度变化对太阳电池效率的影响 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 图形衬底和表面粗化 ITO 对电池效率的影响 | 第45-55页 |
| ·图形蓝宝石衬底的制作 | 第45-47页 |
| ·常规衬底和图形衬底上生长、制备的 InGaN 电池性能比较 | 第47-52页 |
| ·表面粗化 ITO 对电池效率的影响 | 第52-54页 |
| ·ITO 简介 | 第52页 |
| ·ITO 表面粗化实验过程 | 第52-53页 |
| ·表面粗化 ITO 对电池的转换效率影响 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 全文总结 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 硕士期间研究成果 | 第63-64页 |
