| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·纳米材料 | 第11-14页 |
| ·纳米材料的基本概念 | 第11页 |
| ·纳米材料的特性 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的分类 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的发展 | 第13页 |
| ·介孔纳米材料 | 第13-14页 |
| ·Co_3O_4的结构性质 | 第14页 |
| ·Co_3O_4及其复合氧化物纳米材料的应用 | 第14-19页 |
| ·电极材料 | 第15-16页 |
| ·锂离子电池正极材料 | 第15页 |
| ·锂离子电池负极材料 | 第15-16页 |
| ·超级电容器赝电容电极材料 | 第16页 |
| ·催化领域 | 第16-18页 |
| ·磁学领域 | 第18页 |
| ·光学领域 | 第18-19页 |
| ·其他领域 | 第19页 |
| ·Co_3O_4及其复合氧化物纳米材料的制备方法 | 第19-23页 |
| ·水热/溶剂热法 | 第19-20页 |
| ·模版合成法 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21页 |
| ·沉淀法 | 第21-22页 |
| ·电化学沉积法 | 第22页 |
| ·其他方法 | 第22-23页 |
| ·本文的选题背景及研究内容 | 第23-25页 |
| 本章参考文献 | 第25-33页 |
| 第二章 实验内容与测试方法 | 第33-40页 |
| ·实验试剂和材料 | 第33-34页 |
| ·化学试剂 | 第33页 |
| ·实验仪器 | 第33-34页 |
| ·表征方法 | 第34-37页 |
| ·物理表征方法 | 第34-35页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第35页 |
| ·全谱型等离子体原子发射光谱仪(AES) | 第35页 |
| ·电化学性能表征 | 第35-37页 |
| ·电化学循环伏安性能表征 | 第35-36页 |
| ·电化学催化析氧性能 | 第36页 |
| ·H_2O_2电化学传感器 | 第36页 |
| ·电化学交流阻抗谱(EIS)测试 | 第36-37页 |
| ·实验方法和电极材料制 | 第37-39页 |
| ·基体镍薄的预处理 | 第37页 |
| ·电沉积法制备金属钴薄膜 | 第37页 |
| ·电沉积法制备金属钴-铁合金薄膜 | 第37页 |
| ·草酸乙醇水溶液的配制 | 第37-38页 |
| ·电极材料制备 | 第38-39页 |
| 本章参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 介孔结构的Co_3O_4纳米线的制备及其电化学性能的表征 | 第40-56页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验方法 | 第41-43页 |
| ·材料制备方法 | 第41页 |
| ·电极材料的的表面形貌和结构表征 | 第41-42页 |
| ·材料的电化学性能测试 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-50页 |
| ·不同草酸乙醇溶液得到的前驱体SEM表征及分析 | 第43-44页 |
| ·电极材料(5%wtH_2O0.3M H_2C_2O_4乙醇溶液)的SEM和TEM表征 | 第44-46页 |
| ·电极材料及前驱体(5%wtH_2O 0.3M H_2C_2O_4乙醇溶液)XRD表征 | 第46-48页 |
| ·材料的电化学性能表征 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 本章参考文献 | 第51-56页 |
| 第四章 Co_xFe_(3-x)O_4纳米材料的制备及其电化学性能的表征 | 第56-71页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·实验方法 | 第57-58页 |
| ·电极材料制备方法 | 第57页 |
| ·电极材料的的表面形貌和结构表征 | 第57页 |
| ·材料的电化学性能测试 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-68页 |
| ·镀层Co-Fe的物理表征 | 第58-59页 |
| ·电极材料前驱体及最终产物的物理表征 | 第59-65页 |
| ·SEM表征 | 第59-61页 |
| ·XRD与ICP-AES表征 | 第61-63页 |
| ·TEM表征 | 第63-65页 |
| ·材料的电化学性能表征 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 本章参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-72页 |
| ·论文总结 | 第71页 |
| ·工作展望 | 第71-72页 |
| 附录Ⅰ：硕士期间发表和参与发表的论文 | 第72-73页 |
| 附录Ⅱ：致谢 | 第73页 |
