| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-43页 |
| ·ZnO薄膜的结构和缺陷 | 第14-16页 |
| ·A1掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜 | 第16-22页 |
| ·ZnO基透明导电氧化物薄膜 | 第16-18页 |
| ·Al掺杂ZnO薄膜 | 第18-22页 |
| ·Zn-Ti-O三元化合物薄膜 | 第22-24页 |
| ·原子层沉积(ALD)技术 | 第24-31页 |
| ·ALD简介 | 第24-25页 |
| ·ALD的基本原理和特点 | 第25-27页 |
| ·ALD沉积三元化合物 | 第27-31页 |
| ·本论文的研究目的和工作内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-43页 |
| 第二章 薄膜制备工艺和表征方法 | 第43-54页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第43-47页 |
| ·实验所用原子层沉积系统简介 | 第43-46页 |
| ·ALD生长所用前驱体 | 第46页 |
| ·所用衬底及清洗处理 | 第46-47页 |
| ·薄膜的组成、结构和表面分析方法 | 第47-48页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第48-53页 |
| ·薄膜的电学性能测试方法 | 第48-51页 |
| ·电阻率测试 | 第48-49页 |
| ·霍尔效应测试 | 第49-50页 |
| ·MIM结构的电容-电压特性 | 第50-51页 |
| ·薄膜的光催化性能测试 | 第51-52页 |
| ·薄膜的抗菌性能测试 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第三章 ALD沉积ZnO、Al_2O_3和TiO_2薄膜的生长特性 | 第54-70页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·ALD沉积ZnO薄膜 | 第54-58页 |
| ·ALD沉积Al_2O_3薄膜 | 第58-63页 |
| ·三甲基铝为Al源沉积Al_2O_3薄膜 | 第58-60页 |
| ·异丙醇铝为Al源沉积Al_2O_3薄膜 | 第60-62页 |
| ·氯化铝为Al源沉积Al_2O_3薄膜 | 第62-63页 |
| ·ALD沉积TiO_2薄膜 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第四章 Al掺杂ZnO薄膜的ALD制备、生长特性与电学性质 | 第70-90页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·ALD制备ZnO薄膜的结构和电学性质 | 第71-73页 |
| ·ALD制备Al掺杂ZnO薄膜的生长特性和电学性质 | 第73-79页 |
| ·三甲基铝为Al源ALD制备AZO薄膜 | 第73-75页 |
| ·异丙醇铝为Al源ALD沉积AZO薄膜 | 第75-77页 |
| ·氯化铝为Al源沉积AZO薄膜 | 第77-79页 |
| ·ALD沉积AZO薄膜电学性能的优化与机理 | 第79-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 第五章 Zn-Ti-O薄膜的ALD制备、相结构及性能表征 | 第90-109页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·Zn-Ti-O薄膜的ALD制备与相结构 | 第91-98页 |
| ·不同组成的Zn-Ti-O薄膜ALD沉积与生长特性 | 第91-95页 |
| ·后退火对不同组成的Zn-Ti-O薄膜相结构演变的影响 | 第95-98页 |
| ·Zr-Ti-O薄膜的性能表征 | 第98-105页 |
| ·介电性质 | 第98-100页 |
| ·光催化性能 | 第100-103页 |
| ·抗菌性能 | 第103-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第六章 结论和展望 | 第109-112页 |
| 博士生期间发表的论文 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
